摻雜硼鋁背場(chǎng)對(duì)晶體硅太陽電池性能的影響.pdf

1、隨著太陽電池技術(shù)的發(fā)展，硅太陽能電池的厚度越來越薄，薄的硅片厚度也帶來了更多的長波光損失，要想繼續(xù)提高電池的轉(zhuǎn)化效率，就對(duì)背面的載流子濃度提出了更高的要求。鋁背場(chǎng)（Al-BSF）作為一種背面的高濃度摻雜層，在降低背面復(fù)合速率方面有十分明顯的效果。然而由于Al在Si的溶解度較低，很難得到一個(gè)較高的鋁背場(chǎng)摻雜濃度，這也在一定程度上限制了晶體硅太陽電池的轉(zhuǎn)化效率。硼在Si中有較高的溶解度，通過在鋁漿料中摻雜硼可以得到一個(gè)較高的背場(chǎng)摻雜濃度，但

2、是硼擴(kuò)散對(duì)燒結(jié)溫度的要求較高，需要找到合適的燒結(jié)溫度。
　　本文我們通過在鋁漿中摻雜硼制備鋁背場(chǎng)，研究了不同的硼摻雜量及燒結(jié)條件對(duì)鋁背場(chǎng)深度、載流子濃度及電學(xué)性能的影響;通過ALD沉積氧化鋁薄膜，研究了氧化鋁薄膜對(duì)方塊電阻不同樣品的鈍化效果，及氧化鋁薄膜對(duì)摻硼鋁背場(chǎng)的鈍化效果。
　　經(jīng)過實(shí)驗(yàn)，我們得到了以下結(jié)論:(1)在鋁漿中摻雜硼可以明顯提高鋁背場(chǎng)的摻雜濃度，達(dá)到1019 atoms/cm3，摻雜硼也可以提高P+層深度和開