ITO薄膜的制備與研究及其在HIT太陽電池上的應用.pdf

1、本文采用中頻脈沖磁控濺射工藝(Mid-Frequency Pulsed Magnetron Sputtering)，選用純度99.999％的氧化銦錫陶瓷靶，在玻璃襯底上制備ITO薄膜，研究了工藝參數(shù)對ITO薄膜性能的影響，并利用反射式薄膜厚度測試系統(tǒng)、X射線衍射分析、表面形貌分析、標準四探針測試儀及太陽能電池光譜性能測試系統(tǒng)，對所制備的薄膜的膜厚、晶體結構、表面形貌及光電性能進行了測試，此外，還將最佳工藝參數(shù)條件下制備的ITO薄膜應用于

2、HIT太陽電池，主要成果如下：
　　1、采用中頻脈沖磁控濺射法，在不同的工藝參數(shù)條件下制備 ITO薄膜，研究了襯底溫度、濺射氣壓、濺射功率、氧氬比(O2/Ar)等一系列沉積工藝參數(shù)對ITO薄膜晶體結構、表面形貌、膜厚、沉積速率及光電性能的影響，掌握了ITO薄膜各項性能隨工藝參數(shù)變化的一般規(guī)律。
　　2、通過大量實驗和分析，確定了制備 ITO薄膜的最佳工藝參數(shù)：襯底溫度為350℃，濺射功率為120 W，濺射氣壓為1.5 mto