低劑量超薄SIMOX圓片制備技術(shù)的應(yīng)用研究.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩109頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶(hù)提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、絕緣體上的硅(SOI)技術(shù)以其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)在低壓、低功耗電路,高溫、抗輻照器件以及集成光電子器件方面有著廣泛的應(yīng)用.注氧隔離(SIMOX)技術(shù)是制備SOI材料最成功的技術(shù)之一.過(guò)去SIMOX制備SOI材料通常是采用高劑量高能量的注入方法,然而高劑量的SIMOX材料頂層Si的線位錯(cuò)密度過(guò)高,影響了它的應(yīng)用.另外,由于過(guò)長(zhǎng)的注入時(shí)間也導(dǎo)致了生產(chǎn)成本攀高.這是SOI材料在微電子工業(yè)上大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用的一個(gè)致命缺點(diǎn).隨著SIMOX技術(shù)的發(fā)展,人們

2、發(fā)展了低劑量注入(通常劑量小于1.0×1.0<'18>ions/cm<'2>),近來(lái)它越來(lái)越引起人們的重視.低劑量SIMOX材料,其隱埋氧化物層(BOX)通常在50-200nm,具有技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上巨大的優(yōu)勢(shì).與高劑量SIMOX相比,它能夠提高產(chǎn)量50-300﹪.低劑量SIMOX還能夠大幅度降低線位錯(cuò)密度、熱導(dǎo)率,提高器件性能.為了保證SOI器件高性能和高可靠性,要求BOX層的質(zhì)量很高,除了BOX層的上下界面平整、陡峭外,BOX層中的針孔

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論