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1、現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展,對(duì)片式元器件的需求量不斷增多,而片式元器件中的電極多為貴金屬Pd,占據(jù)了元器件成本的一半以上,因此為了降低成本,用賤金屬Ni、Cu代替貴金屬,目前成為國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn)。本研究采用滴入化學(xué)法和真空熱處理法在賤金屬Ni表面包覆一層具有保護(hù)作用的Ag,制備包覆型Ag/Ni雙金屬粉,經(jīng)過掃描電子顯微鏡的微觀形貌觀察,XRD圖譜分析,粒度測(cè)試以及TG試驗(yàn)研究,并制成電極用于壓電元器件,得出了以下結(jié)果: 制備包覆型
2、雙金屬粉的最佳工藝為:Ag、Ni比值2:1;熱處理溫度500℃;熱處理時(shí)間5h 。Ag、Ni比值對(duì)包覆粉的包覆效果起著決定性作用,但是Ag、Ni比值相同的包覆粉,隨著熱處理工藝的不同其包覆效果有很大差別,說明真空熱處理能夠提高包覆粉的包覆效果。 實(shí)驗(yàn)制備的包覆粉,其大氣下抗氧化溫度在850℃以上,能夠滿足大氣下高溫?zé)Y(jié)的要求。且包覆粉電極與Ag、Ag/Pd、Ag/Cu電極相比較,包覆粉電極在長(zhǎng)期的使用中對(duì)元器件介電性能的影響,僅
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