TiO-,2-納米管陣列的制備及摻雜改性研究.pdf

1、本文采用電化學(xué)陽(yáng)極氧化法在Ti片基底上不同反應(yīng)條件下制備了TiO2 納米管陣列。
　　 利用XRD，SEM 等分析檢測(cè)手段對(duì)不同反應(yīng)條件下制備的樣品進(jìn)行了結(jié)構(gòu)和形貌的表征。對(duì)制備的TiO2 納米管的形貌特征、晶體結(jié)構(gòu)、摻雜W和Cu的TiO2 納米管的光電化學(xué)活性和光催化性能進(jìn)行了研究。本文主要開展了以下研究工作：
　　 1.在含F(xiàn)-的有機(jī)溶液中，采用電化學(xué)陽(yáng)極氧化法制備TiO2 納米管陣列。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)氧化時(shí)間、電解液含水量

2、，電解液的溫度等因素對(duì)TiO2 納米管陣列的表面形貌有重要的影響。通過(guò)這一系列實(shí)驗(yàn)對(duì)比發(fā)現(xiàn)：氧化時(shí)間的延長(zhǎng)、電解液中適當(dāng)?shù)暮俊⑤^高的反應(yīng)溫度，都會(huì)使覆蓋在表面的大部分氧化物溶解，消失。
　　 2.通過(guò)電弧爐熔煉將不同比例(0wt[％]W+Ti、2wt[％]W+Ti、3wt[％]W+Ti、3.5wt[％]W+Ti)的Ti 片和W 粉煉成合金，切割成片狀結(jié)構(gòu)，進(jìn)行電化學(xué)陽(yáng)極氧化，制備W摻雜的TiO2 納米管陣列。然后對(duì)樣品進(jìn)行電

3、化學(xué)性能和光催化性能測(cè)試，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：3wt[％]W 摻雜的TiO2 納米管陣列的光電性能和光催化性能明顯優(yōu)于其它的樣品。因此，W的最佳摻雜量為3wt[％]。
　　 3.利用交流電沉積的方法在TiO2 納米管陣列的表面成功地負(fù)載了Cu 納米顆粒。研究了沉積Cu 納米顆粒對(duì)TiO2 納米管表面形貌、晶體結(jié)構(gòu)和光電化學(xué)性能的影響。通過(guò)測(cè)試不同的沉積條件(Cu(NO3)2 溶液的濃度、沉積電壓和沉積時(shí)間)對(duì)TiO2 納米管陣列光電性