SPM在納米材料微細(xì)加工中的應(yīng)用研究.pdf

1、該論文的主要研究成果有兩部分:第一、基于STM的納米材料的表征、改性與納米加工1)基于STM的常規(guī)模式對(duì)金屬有機(jī)絡(luò)合物Ag-TCNQ的電雙穩(wěn)特性進(jìn)行表征并且制作納米存儲(chǔ)點(diǎn)陣.分析了脈沖電壓極性、脈沖幅值、脈沖寬度等參量對(duì)在Ag-TCNQ薄膜上制作存儲(chǔ)點(diǎn)陣的影響,并成功獲得了納米尺度的存儲(chǔ)點(diǎn)陣,達(dá)到了高密度存儲(chǔ)的標(biāo)準(zhǔn).2)基于STM的"接觸"模式對(duì)金屬有機(jī)絡(luò)合物Ag-TCNQ的電雙穩(wěn)特性進(jìn)行深入研究,克服了STM的空氣隧道結(jié)對(duì)測(cè)量薄膜樣品

2、電阻的影響,得到并分析了Ag-TCNQ薄膜在用STM進(jìn)行電學(xué)改性前后高低電阻比,其值大于10<'4>,并在該模式下成功獲得了納米尺度的存儲(chǔ)點(diǎn).這個(gè)"接觸"模式是對(duì)STM的常規(guī)表征、加工模式的有力補(bǔ)充.3)尋找在超高密度信息存儲(chǔ)領(lǐng)域具有潛在應(yīng)用價(jià)值的新型有機(jī)材料.基于STM的常規(guī)模式對(duì)以Langmuir-Blodgett膜方法制備的硬脂酸樣品的電學(xué)特性進(jìn)行了研究,并成功獲得了納米尺度的存儲(chǔ)點(diǎn)陣,并且對(duì)存儲(chǔ)時(shí)間做了深入研究,存儲(chǔ)時(shí)間至少大于