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文檔簡介
1、本文利用高溫高壓試驗設備并輔以SEM、EDS和XPS等現(xiàn)代分析手段,研究了高溫、高CO2分壓、高氯離子濃度下超級13Cr的CO2腐蝕行為及腐蝕產(chǎn)物膜中的元素價態(tài)。通過極化曲線、交流阻抗譜和Mott-Schottky曲線,研究了超級13Cr表面鈍化膜以及腐蝕產(chǎn)物膜的電化學行為和半導體特性。
試驗結果表明:在模擬高溫、高CO2分壓、高氯離子濃度腐蝕環(huán)境中,隨溫度和CO2分壓的增加,超級13Cr的平均腐蝕速率增大,但在較高的溫度
2、和CO2分壓下趨于穩(wěn)定。隨氯離子濃度的增加,超級13Cr的平均腐蝕速率先增大后降低。其腐蝕產(chǎn)物膜表層中Mo和Ni以各自硫化物的形式富集,而Cr以氧化物的形式富集。
超級13Cr在100℃、0.9MPa CO2和130℃、0.9MPa CO2時形成的腐蝕產(chǎn)物膜具有良好的保護性,而在150℃、1.0MPa CO2和170℃、1.6MPa CO2時形成的腐蝕產(chǎn)物膜保護性下降。產(chǎn)生這種現(xiàn)象的原因和表面膜的半導體性能密切相關。在10
3、0℃、0.9MPa CO2和130℃、0.9MPa CO2時形成的腐蝕產(chǎn)物膜具有雙極性n-p型半導體特征,且隨著溫度升高,摻雜濃度增大,而150℃、1.0MPa CO2和170℃、1.6MPa CO2介質中形成的腐蝕產(chǎn)物膜為p型半導體。而超級13Cr表面的自鈍化膜具有n-p型半導體特征,其保護性在氯離子濃度低于110g/L時,隨氯離子濃度的增加而降低,但在氯離子濃度高于110g/L時,隨氯離子濃度的增加而增大。
超級13C
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