激光干涉納米光刻樣品定位技術(shù)與系統(tǒng)的研究.pdf

1、近年來，激光干涉納米光刻被日益廣泛的研究和使用在周期、準周期微納表面圖案的生產(chǎn)制造中。在激光干涉納米光刻中，決定光刻圖案和曝光面積的因素有很多，包括光束入射角、空間角、入射位置、偏振態(tài)、相位、光強等。在激光干涉納米光刻系統(tǒng)中，樣品定位環(huán)節(jié)尤其重要，這方面的工作包括：
　　1.使用高精度、大行程的樣品定位平臺完成多次曝光增加光刻點密度(插補)和增加光刻面積所需的運動；
　　2.在特定的樣品定位技術(shù)控制下完成光束入射姿態(tài)的檢測及

2、校正，光束入射姿態(tài)包括光束相對于樣品的入射角、空間角及入射位置，它們直接影響光刻圖案和曝光面積。
　　本文討論的是激光干涉納米光刻樣品定位技術(shù)與系統(tǒng)，基于激光干涉納米光刻中樣品定位環(huán)節(jié)的工作內(nèi)容，研究包括兩方面：
　　1.設(shè)計了一種在行程、定位精度等各個方面都可以滿足激光干涉納米光刻要求的樣品定位平臺；
　　2.首創(chuàng)了一種基于光斑檢測的樣品定位技術(shù)。
　　通過理論分析、計算機仿真及應(yīng)用實驗、驗證實驗等一系列實驗，