IC器件的電子顯微分析.pdf

1、該文介紹了掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)以及它們附帶的X射線能量分散譜儀(EDS)的基本原理.介紹了SEM與TEM的集成電路樣品的制備方法并比較了制樣過程對分析結(jié)果的影響.將IC器件的制造工藝與電子顯微分析技術(shù)相結(jié)合,對器件剖面的電鏡照片作出了較好的闡述.使用SEM觀察分析芯片制造工藝和結(jié)構(gòu)模塊分布,定性地分析了IC器件芯片各典型結(jié)構(gòu)的有關(guān)形貌特征,有效地檢驗(yàn)了芯片表面的各種微細(xì)加工圖形和線條情況;使用TEM定量地測

2、量了各層結(jié)構(gòu)的工藝參數(shù),觀察了柵氧化層的高分辨電子顯微鏡;使用電鏡附件EDS譜儀對各層材料進(jìn)行化學(xué)組分分析.詳細(xì)討論了在IC器件的電子顯微分析中,SEM與TEM不同的精度比較、產(chǎn)生的原因以及各自的適用范圍,指出了兩者有機(jī)結(jié)合可以得到比較全面的精確的分析結(jié)果.為了確定TEM放大倍率與實(shí)際數(shù)據(jù)的誤差,對實(shí)驗(yàn)室所用的電子透射顯微鏡PHILIPS CM200-PEG進(jìn)行了放大倍率的標(biāo)定,其實(shí)測值與儀器放大倍率標(biāo)稱值及儀器的標(biāo)尺示值比較,誤差全部