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文檔簡(jiǎn)介
1、單晶硅是重要的紅外系統(tǒng)窗口材料和探測(cè)器結(jié)構(gòu)材料。所以對(duì)單晶硅激光損傷的研究具有重要的意義。本論文的主要工作如下:
根據(jù)熱傳導(dǎo)方程的基本理論,假設(shè)單晶硅材料為各向同性且其熱學(xué)參數(shù)在激光作用前后為常數(shù),數(shù)值模擬分析了功率密度和輻照時(shí)間對(duì)溫度場(chǎng)和熱應(yīng)力場(chǎng)的變化,得到了激光輻照中心溫度隨時(shí)間的變化規(guī)律。單晶硅的抗壓強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于抗壓強(qiáng)度,因此單晶硅的損傷依賴于環(huán)向拉應(yīng)力。
通過(guò)1-on-1和1000-on-1兩種測(cè)試方法得到了
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