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1、本文主要建立了一個(gè)新的關(guān)于多晶硅薄膜晶體管的1/f噪聲模型。不同于之前的噪聲模型,該模型充分考慮了多晶硅晶粒間界的效應(yīng),認(rèn)為多晶硅晶界耗盡區(qū)內(nèi)的晶粒陷阱態(tài)隨機(jī)捕獲發(fā)射溝道反型載流子,導(dǎo)致載流子數(shù)目和載流子有效遷移率的漲落,引起溝道電流噪聲。因?yàn)榫ЯＯ葳鍛B(tài)分布在晶界耗盡區(qū)內(nèi)的不同位置,載流子隧穿距離的變化則可以解釋1/f噪聲比較寬的電荷捕獲時(shí)間常數(shù)分布。實(shí)驗(yàn)成功測(cè)得準(zhǔn)分子激光退火和金屬誘導(dǎo)結(jié)晶兩種工藝的多晶硅薄膜晶體管的噪聲數(shù)據(jù),模型在低
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