氧化鋅薄膜晶體管的研究.pdf

1、氧化鋅作為一種新型的寬禁帶半導體材料，在電子顯示領域有巨大的潛在的市場價值。本文在詳細研究氧化鋅材料特性的基礎上結合國際最新的研究方向開展了氧化鋅薄膜在電子顯示領域尤其是薄膜晶體管在顯示技術方面的研究。
　　 通過研究我們發(fā)現(xiàn)，氧化鋅薄膜在具備很好的延展性和透明性的同時，電學性能突出。針對氧化鋅薄膜，我們采用射頻濺射的方法，制備并研究了在不同的氣體濺射氛圍下，不同的襯底溫度下，氧化鋅薄膜的特性的變化。研究表明，適量的氧氣濃度和襯

2、底溫度對提高氧化鋅薄膜質量有很好的幫助，但過高的氧氣濃度和襯底溫度將導致薄膜內(nèi)部缺陷增多，降低了薄膜質量。
　　 在薄膜特性研究的基礎上，制備了氧化鋅薄膜晶體管。通過對不同氧氣氛圍，不同襯底溫度，不同氧化鋅薄膜厚度情況下的晶體管電流電壓特性進行了測量，通過對比，我們發(fā)現(xiàn)優(yōu)化薄膜濺射工藝參數(shù)對氧化鋅薄膜晶體管的電學特性影響較大。除此之外，還研究了氧化鋅薄膜晶體管的絕緣層材料對薄膜晶體管特性的影響，研究表明，在可能的情況下，應優(yōu)先選

3、擇介電常數(shù)比較大的材料，這樣可以有效的提高氧化鋅薄膜晶體管的可靠性。而且電極材料對氧化鋅薄膜晶體管的電學特性有一定影響，但普通金屬都可以和氧化鋅溝道層形成良好的歐姆接觸。
　　 在研究了氧化鋅薄膜晶體管的基礎上，對國際上熱門的適合在大面積柔性顯示領域應用的氧化鋅納米線薄膜晶體管進行了初步研究，并在現(xiàn)有絲網(wǎng)印刷的技術基礎上，運用壓印轉移法，簡化了納米線薄膜晶體管的組裝流程。通過對氧化鋅納米線薄膜晶體管電學特性的測量，獲得了高達15