寬帶隙調控半導體納米線的生長和光學表征.pdf

1、帶隙作為半導體材料的重要參數(shù)之一，直接決定材料的吸收和發(fā)光光譜。通過進行帶隙調控可以拓寬半導體納米材料在光電子器件中的應用，實現(xiàn)更多新的功能。本文提出兩種生長單根帶隙梯度過渡半導體納米線的方法，實現(xiàn)了對單根納米線的寬帶隙調控。
　　 本文第一部分提出了在氣-液-固(VLS)生長過程中引入移動源的方法，首次成功制備了單根帶隙梯度過渡的硫硒化鎘納米線。該納米線的直徑范圍從100nm到1000 nm，長度可以到500μm，組分從一端為

2、純硫化鎘漸變到另一端純硒化鎘，對應的帶隙(熒光波長)從2.44 eV(507 nm，綠光)漸變到1.74 eV(710nm，紅光)。透射電鏡數(shù)據(jù)表明，該納米線具有非常好的結晶質量，而且晶格間距沿長度方向梯度過渡。
　　 在第一部分工作獲得成功的基礎上，本文第二部分進一步提出了在VLS過程中移動襯底的新方法，成功合成了單根超寬帶隙梯度過渡的硫硒化鎘鋅納米線。該納米線的直徑約為100 nm，長度可以到30μm，晶格間距也是沿長度方向