基于SPM的納米半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表征.pdf

1、半導(dǎo)體光電器件（如探測(cè)器、激光器、發(fā)光二極管等）的宏觀性能如I-V曲線、光電流響應(yīng)、功率的好壞，由其內(nèi)部的一些微觀機(jī)制控制，諸如載流子分布和表面勢(shì)空間分布等。如果沒(méi)有能夠探測(cè)或者表征這些內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)的有效實(shí)驗(yàn)方法，那么我們得出的量子器件性能的影響因素就只能停留在主觀猜想層面上。
　　以量子級(jí)聯(lián)探測(cè)器為例，制成器件之后宏觀性能與哪些因素有關(guān)？我們就需要探究一下器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，需借助于電鏡和AFM。
　　本論文中，我們對(duì)InAs

2、/GaSbⅡ型超晶格的襯底、緩沖層和有源區(qū)進(jìn)行了非常細(xì)致的測(cè)量，首先用2％的30mL四甲基氫氧化銨溶液對(duì)解理后的樣品橫截面進(jìn)行選擇性腐蝕，將緩沖層腐蝕一定的深度，然后利用AFM接觸模式對(duì)處理后的樣品進(jìn)行非常細(xì)致的形貌掃描測(cè)試，測(cè)得了3um×3um的樣品形貌圖，包括襯底、緩沖層和有源區(qū)，但是對(duì)有源區(qū)超晶格區(qū)域的深入掃描沒(méi)有取得相應(yīng)的進(jìn)展。
　　在對(duì)InAs/GaSbⅡ型超晶格樣品進(jìn)行AFM接觸模式測(cè)試之后，我們總結(jié)經(jīng)驗(yàn)并找到了改進(jìn)方

3、法，比如對(duì)樣品橫截面進(jìn)行拋光處理、采用更先進(jìn)的布魯克Icon AFM儀器和進(jìn)行更為細(xì)致的分布電阻(SSRM)測(cè)試等。改進(jìn)實(shí)驗(yàn)工藝和方法后，我們對(duì)InGaAs/InAlAs量子級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)樣品進(jìn)行了精細(xì)的掃描分布電阻(SSRM)測(cè)試，并成功得到了其有源區(qū)周期性形貌圖、分布電阻輪廓圖和一維橫向分布電阻曲線圖。
　　最后我們根據(jù)得到的一維電阻分布曲線，分析各層的電阻值與材料生長(zhǎng)中的摻雜濃度完全一致并且成功測(cè)出周期結(jié)構(gòu)中摻雜和未摻雜區(qū)域的清晰