聚苯胺修飾碳化硅復(fù)合材料的制備、表征及吸波性能研究.pdf

1、電磁輻射的日益嚴(yán)重及隱身技術(shù)的迅猛發(fā)展促進(jìn)了學(xué)者們對(duì)吸波材料的研究。聚苯胺作為電損耗型吸波材料，具有密度小、電導(dǎo)率可控、環(huán)境穩(wěn)定性好、合成工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于對(duì)傳統(tǒng)無(wú)機(jī)吸波材料的復(fù)合與修飾，因此本文通過采用PANI修飾SiC的工藝來(lái)提高吸波性能，拓寬吸收頻帶。而有關(guān)聚苯胺修飾碳化硅復(fù)合物的合成及其在吸波性能方面的應(yīng)用研究，至今尚鮮見報(bào)道。
　　本文采用乳液聚合法，以 SDBS為乳化劑，APS為氧化劑，成功地制備了PANI/

2、SiC復(fù)合材料,分別探討了SDBS與An的摩爾比、APS與An的摩爾比、SiC與An的摩爾比以及不同反應(yīng)時(shí)間對(duì)PANI/SiC復(fù)合材料的循環(huán)伏安曲線、塔菲爾曲線、電導(dǎo)率及產(chǎn)率的影響。比較了純PANI與PANI/SiC復(fù)合材料的微觀結(jié)構(gòu)（包括紫外光譜、紅外光譜、X射線衍射光譜），微觀形貌（掃描電鏡顯微圖），熱穩(wěn)定性（熱重分析）、電磁參數(shù)及微波吸收性能。
　　研究結(jié)果表明：①通過比較單因素條件下的循環(huán)伏安曲線、塔菲爾曲線、電導(dǎo)率及產(chǎn)率

3、，研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng) n(SDBS)/n(An)=1:1，n(APS)/n(An)=1:1，反應(yīng)時(shí)間為12 h時(shí)，PANI/SiC復(fù)合材料的循環(huán)伏安峰電流、腐蝕電位、電導(dǎo)率值及產(chǎn)率均達(dá)到最優(yōu)，具有較好的電化學(xué)性能；且當(dāng)n(SiC)/n(An)=5:1時(shí)，復(fù)合材料的最大反射損耗值達(dá)到最大，具有較好的微波吸收性能；②通過紫外光譜、紅外光譜、X射線衍射光譜對(duì)純PANI與PANI/SiC復(fù)合材料進(jìn)行的表征，比較發(fā)現(xiàn)碳化硅與聚苯胺之間存在一定的相互作用

4、力；通過掃描電子顯微鏡對(duì)其進(jìn)行的形貌觀察，顯示碳化硅顆粒被聚苯胺包覆；通過熱重分析儀對(duì)其進(jìn)行熱穩(wěn)定性分析發(fā)現(xiàn)，PANI/SiC復(fù)合材料比純 PANI具有更好的熱穩(wěn)定性；③通過矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀對(duì)純 SiC與PANI/SiC復(fù)合材料在26.5-40 GHz頻段范圍內(nèi)電磁參數(shù)的測(cè)試發(fā)現(xiàn)，SiC被PANI進(jìn)行修飾之后，其復(fù)介電常數(shù)的實(shí)部和虛部值，復(fù)磁導(dǎo)率的虛部值以及介電損耗角正切值與磁導(dǎo)率正切值均有一定程度的提高；通過計(jì)算機(jī)輔助軟件計(jì)算電磁參數(shù)所