緩沖層對NiCo薄膜各向異性磁電阻的影響.pdf

1、各向異性磁電阻(Anisotropic Magnetoresistance,AMR)材料可用來制作磁場傳感器.和其它磁場傳感器如霍爾器件、半導(dǎo)體磁敏電阻相比,AMR傳感器具有靈敏度高、溫度穩(wěn)定性好、體積小等優(yōu)點(diǎn).NiCo軟磁合金具有比NiFe高的AMR值,而且其飽和場較大,可使NiCo薄膜磁傳感器的工作范圍比NiFe薄膜傳感器更大.NiCo薄膜的研究有利于進(jìn)一步擴(kuò)大AMR傳感器的應(yīng)用領(lǐng)域.該文用直流磁控濺射法制備了不同厚度的Ta/Ni<

2、,1-x>Co<,x>(x≈13、17、21、26、31at％)薄膜,研究了Co的成份x對Ni1-xCox薄膜的AMR值的影響.結(jié)果表明:同樣厚度的Ni<,1-x>Co<,x>薄膜的AMR值隨著x的增加先增大后減小;當(dāng)x≈26%時,薄膜的AMR值最大.XRD結(jié)果顯示,Ta(100A)/Ni<,74>Co<,26>薄膜中出現(xiàn)了較明顯的(111)衍射峰.制備了(Ni<,0.81>Fe<,0.19>)<,1-x>Cr<,x>(x≈26、30、

3、34、38、42at%)/Ni<,74>Co<,26>薄膜,研究了緩沖層(Ni<,0.81>Fe<,0.19>)<,1-x>Cr<,x>中Cr的含量對Ni<,74>Co<,26>薄膜的AMR值的影響.結(jié)果表明:同樣厚度的Ni<,74>Co<,26>薄膜的AMR值隨著x的增加先增大后減小;當(dāng)x≈34%時, Ni<,74>Co<,26>薄膜的AMR值最大.制備了(Ni<,0.81>Fe<,0.19>)<,66>Cr<,34>(xA)/Ni<

4、,74>Co<,26>(200A)薄膜,研究了緩沖層(Ni<,0.81>Fe<,0.19>)<,66>Cr<,34>的厚度x對Ni<,74>Co<,26>薄膜的AMR值的影響.結(jié)果顯示:隨著緩沖層(Ni<,0.81>Fe<,0.19>)<,66>Cr<,34>的厚度x的增加,薄膜的AMR值先增大而后迅速減小.對比以Ta和非磁性(Ni<,0.81>Fe<,0.19>)<,66>Cr<,34>為緩沖層的兩種Ni<,74>Co<,26>薄膜的

5、AMR值,結(jié)果表明:用厚度為45A的非磁性(Ni<,0.81>Fe<,0.19>)<,66>Cr<,34>做緩沖層的Ni<,74>Co<,26>薄膜,其AMR值比用Ta做緩沖層的同樣厚度的Ni<,74>Co<,26>薄膜的AMR值有較大的提高.比如,當(dāng)Ni<,74>Co<,26>的厚度為125A時,AMR值能提高43%.XRD結(jié)果表明:緩沖層(Ni<,0.81>Fe<,0.19>)<,66>Cr<,34>與磁性層Ni<,74>Co<,2