3C-SiC壓阻式壓力傳感器研究.pdf_第1頁(yè)
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1、碳化硅(SiC)是當(dāng)前最有潛力的寬禁帶半導(dǎo)體材料，它具有熱穩(wěn)定性強(qiáng)、機(jī)械強(qiáng)度高、抗腐蝕、抗輻照等特性，且3C-SiC與Si工藝兼容，這使其成為制造高溫壓力傳感器的理想材料。
　　本文致力于研究工作溫度能達(dá)到400℃的3C-SiC壓阻式壓力傳感器，主要內(nèi)容包括3C-SiC薄膜的生長(zhǎng)以及其力學(xué)性能測(cè)試，傳感器芯片結(jié)構(gòu)與工藝的設(shè)計(jì)。
　　本文首先用交替引入源外延(ASE)法來(lái)生長(zhǎng)3C-SiC薄膜，這比常用的兩步CVD法生長(zhǎng)溫度低，

2、有助于改善薄膜的性能，可使在此薄膜上制備的傳感器性能更好。
　　采用納米壓痕法測(cè)量了3C-SiC薄膜的硬度和楊氏模量，接著用微結(jié)構(gòu)法測(cè)量了3C-SiC薄膜的殘余應(yīng)力，其結(jié)果與用拉曼光譜分析法測(cè)量的結(jié)果接近。結(jié)果顯示生長(zhǎng)在(100)Si上的3C-SiC薄膜比生長(zhǎng)在(111)Si上的3C-SiC薄膜的質(zhì)量好，說(shuō)明生長(zhǎng)在(100)Si上的3C-SiC薄膜更利于制備高性能的傳感器。
　　接著對(duì)3C-SiC的壓阻效應(yīng)進(jìn)行了研究，根據(jù)壓

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