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文檔簡(jiǎn)介
1、超高頻 RFID廣闊的應(yīng)用前景推進(jìn)了相關(guān)研發(fā)的進(jìn)行。隨著 CMOS工藝的進(jìn)步,單片集成的RFID閱讀器芯片已經(jīng)成為可能。本文對(duì)集成于單片 RFID閱讀器的頻率合成器進(jìn)行了研究。
首先,本文介紹了基于 PLL頻率合成器的基本工作原理。對(duì)組成頻率合成器的各個(gè)部分進(jìn)行了分別介紹。對(duì)這些模塊的工作原理、主要結(jié)構(gòu)和對(duì)整體電路性能有影響的各種效應(yīng)提出小結(jié)。同時(shí)介紹了超高頻 RFID閱讀器對(duì)頻率合成器性能的要求。
其次,本文著重對(duì)
2、頻率合成器的建模進(jìn)行了研究,主要介紹了線性模型。并且依據(jù)線性模型對(duì)環(huán)路參數(shù)進(jìn)行了設(shè)計(jì)。隨后介紹了噪聲模型,依據(jù)噪聲傳遞模型和實(shí)際設(shè)計(jì)電路性能對(duì)環(huán)路參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。
本文基于 TSMC0.18um工藝實(shí)現(xiàn)并優(yōu)化了頻率合成器中的幾個(gè)關(guān)鍵電路。用CML技術(shù)實(shí)現(xiàn)高速可編程分頻器,實(shí)現(xiàn)了分頻比范圍為80-96,其輸出噪聲為-145dBc/Hz@1MHz。采用互補(bǔ)型 LC振蕩器結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了高噪聲性能的壓控振蕩器,并且采用二次頻率諧振和旁路濾波
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