4H-SiC高壓肖特基二極管及結終端技術研究.pdf

1、碳化硅(SiC)是近十幾年來迅速發(fā)展起來的第三代半導體材料之一。與傳統(tǒng)半導體材料Ge，Si以及GaAs相比，SiC以其優(yōu)良的物理化學特性和電學特性成為制造高溫、大功率、高頻微波及抗輻照電子器件的理想材料。在高頻電路和微波領域，具有高功率、高溫及高可靠性的4H-SiC肖特基二極管(SBD)具有廣闊的應用前景。
　　 為了改善4H-SiC SBD的反向阻斷特性，提高器件的擊穿電壓，本文利用器件數(shù)值仿真工具對結終端擴展(JTE)結構的

2、4H-SiCSBD的擊穿特性進行了研究，分析了擊穿電壓與結構參數(shù)的關系，給出了優(yōu)化的器件結構參數(shù)，提出了一種優(yōu)化設計該類器件的方法。針對嚴重影響4H-SiCSBD擊穿特性的表面電場和電勢分布，通過求解二維泊松方程，建立了一個精確且簡化的JTE結構的4H-SiC SBD的表面場分布解析模型，該模型計算結果與器件數(shù)值仿真結果基本一致，為碳化硅功率器件的JTE終端設計提供了理論基礎。
　　 為了比較各種終端結構提高4H-SiCSBD擊