Au-4H-SiC半透明肖特基UV光電二極管的研制.pdf

1、碳化硅(SiC)由于其較寬的帶隙，較大的擊穿電場(3MV/cm)，較高的電子飽和漂移速率(2×107cm/s)和較大的熱傳導率(5W/K·cm)，在制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件方面具有巨大優(yōu)勢，被認為是最有前景的寬帶隙(2.2eV≤Eg≤7.0eV)半導體材料之一?；?H-SiC材料制備的紫外光電探測器，因其禁帶寬度大(3.26eV)，對可見及紅外線輻射無響應，因而可以在很強的可見及紅外線背景下檢測紫外光。近年來，有一些關(guān)于金屬

2、/4H-SiC的報道，但是對于Au/4H-SiC肖特基光電二極管的報道并不多，而對于半透明肖特基接觸的報道就更少。目前在有關(guān)的報道中用作肖特基接觸的金屬厚度相對較大，紫外透過率很小，造成大量的反射和吸收損失，影響器件的量子效率及響應度等性能。因此，半透明肖特基接觸對于提高器件的紫外探測性能具有重要的意義。 本文采用RCA標準清洗，通過光刻、磁控濺射、剝離、氧化、腐蝕等工藝，采用磁控濺射的方法在n型4H-SiC表面淀積一層很薄的金

3、屬Au形成半透明肖特基接觸，多層金屬Ti、Au合金在背底形成歐姆接觸，制作出Au/n-4H-SiC半透明肖特基UV光電二極管。測試并分析了退火前后器件的I-V特性、C-V特性以及光譜響應特性。器件光敏面的大小是200μm×200μm。退火前在零偏壓下，器件的暗電流為1.05×10-12A；在30V的反向偏壓下，暗電流為1.32×10-11A；退火后器件的暗電流小于1個pA；器件的正向開啟電壓為0.75，擊穿電壓為190V；退火前Au與4