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1、導(dǎo)電高分子復(fù)合材料可通過在絕緣聚合物中加入一定量的炭黑( CB)制備而成,其在各方面有廣泛的應(yīng)用,已開發(fā)出了防靜電、屏蔽、熱敏、氣敏等材料。為了制備出具有優(yōu)良電學(xué)性能的導(dǎo)電高分子復(fù)合材料,本文采用先用炭黑(CB)與增容劑反應(yīng),制備復(fù)合物,然后再將該復(fù)合物作為增容劑與兩不相容體系進行共混的新方法,制備出兩相界面由 CB及增容劑共同構(gòu)成導(dǎo)電通道的具有特殊形貌的導(dǎo)電高分子復(fù)合材料。
本文以聚苯乙烯馬來酸酐無規(guī)共聚物(SMA)為尼龍6
2、(PA6)及聚苯乙烯(PS)不相容共混體系的增容劑,分別選用超導(dǎo)CB及乙炔CB為導(dǎo)電粒子,采用上述方法制備出 PS/PA6/(SMA-CB)導(dǎo)電高分子復(fù)合材料。紅外光譜(IR)、透射電鏡(TEM)、掃描電鏡(SEM)、光學(xué)顯微鏡(OM)研究結(jié)果表明, SMA與CB發(fā)生了反應(yīng),并可將CB誘導(dǎo)分布于PS/PA6兩相界面處。對材料電學(xué)性能進行研究,PS/PA6/(SMA-CB)復(fù)合材料具有獨特的三逾滲行為,即是由CB在 SMA中的逾滲行為、S
3、MA-CB復(fù)合物在 PS/PA6兩相界面的連續(xù)性和PS/PA6兩相界面的連續(xù)性三個逾滲過程共同構(gòu)成。該逾滲行為可大幅降低體系的逾滲閾值:對于采用超導(dǎo) CB體系,其逾滲閾值為0.15%;對于采用乙炔 CB體系,其逾滲閾值僅為0.09%,遠低于 PS/PA6/CB體系,且為目前文獻報道的最低值,且當(dāng) PA6、PS兩相基體為海-島結(jié)構(gòu)時,體系仍可導(dǎo)電,并提出了相應(yīng)的導(dǎo)電模型。研究體系的溫阻效應(yīng)發(fā)現(xiàn),復(fù)合材料的正溫度效應(yīng)(PTC)強度高于PA6
4、/CB和PS/PA6/CB,且負溫度效應(yīng)(NTC)消失。
對于采用乙炔 CB為導(dǎo)電粒子,聚丙烯接枝馬來酸酐( PP-g-MAH)增容PP/PA6不相容共混物的體系,通過 SEM、光學(xué)顯微鏡(OM)、浸泡實驗等實驗手段對體系的形貌進行研究發(fā)現(xiàn),PP-g-MAH與 CB發(fā)生了反應(yīng),并可將 CB誘導(dǎo)分布于 PP/PA6兩相界面處。體系的逾滲閾值為1.6%,較 PP/PA6/CB體系2%的逾滲閾值明顯下降。且 PP/PA6/( PP-
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