SOI器件的輻照效應(yīng)與加固電路設(shè)計(jì)技術(shù)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、SOI器件和電路具有良好的抗單粒子效應(yīng)和瞬時(shí)輻照效應(yīng)的性能,被廣泛地應(yīng)用于各種抗輻射領(lǐng)域。但是埋氧層的存在使得SOI技術(shù)的輻照效應(yīng)更加復(fù)雜,如何提高其抗輻照性能成為研究重點(diǎn)。
　　本文通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究了0.8μm PD SOI PMOSFET經(jīng)過(guò)60Coγ射線輻照后的總劑量效應(yīng),分析了溝道長(zhǎng)度對(duì)器件輻照效應(yīng)的影響。實(shí)驗(yàn)研究結(jié)果表明:在輻照的總劑量相同時(shí),短溝道SOI器件的閾值電壓負(fù)向漂移量比長(zhǎng)溝道SOI器件大,最大跨導(dǎo)退化的更加明顯。

2、通過(guò)亞閾值分離技術(shù)分析得到,氧化物陷阱電荷是引起閾值電壓漂移的主要因素。與長(zhǎng)溝道SOI器件相比,短溝道SOI器件輻照感生的界面陷阱電荷更多。輻照引起閾值電壓的負(fù)向漂移和遷移率的降低使短溝道器件的輸出電流減小的更多。
　　通過(guò)ISE-TCAD軟件模擬總劑量效應(yīng)對(duì)傳統(tǒng)反相器以及抗輻照反相器單元電路的影響。仿真結(jié)果表明,經(jīng)過(guò)加固設(shè)計(jì)的反相器在經(jīng)受1000krad(Si)的輻照后,輸出還能保持“高”電平。此外,利用ISE-TCAD和HSP

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