MoO3,SnO2-x和Zn2SnO4修飾的g-C3N4催化劑光催化降解染料的研究.pdf

1、近年來，面對環(huán)境污染和能源短缺的嚴峻問題，半導體光催化技術日益引起了科研工作者的關注。相應的，可見光響應高效催化劑的研發(fā)成為了當前光催化研究的熱點。石墨相的氮化碳(g-C3N4)是一種具備可見光響應能力的新型非金屬半導體材料，能帶間隙寬度中等(2.7eV)，具有成本低廉和制備方法簡單的優(yōu)點。此外，g-C3N4的化學和熱穩(wěn)定性較高，在光催化領域具有較大的發(fā)展前景。然而，純相g-C3N4的光催化活性很低。因此，本文主要以g-C3N4為基底，

2、研制出了三種高效的可見光響應復合型光催化劑。
　　首先，通過簡單的固相研磨-焙燒法制備出了具有可見光響應的MoO3/g-C3N4復合型高活性催化劑。運用XRD和FT-IR表征分析可知復合型催化劑僅含有MoO3和g-C3N4。N2物理吸附實驗和DRS表征結果表明，摻雜少量MoO3對催化劑的比表面積和光吸收性能的影響很小。MoO3/g-C3N4復合催化劑的高活性歸因于MoO3和g-C3N4之間的協(xié)同作用，使電子和空穴通過這兩個半導體表

3、面的定向遷移從而達到分離的目的。電荷遷移遵循Z模式機制，可由活性物種捕獲實驗和羥基自由基·OH熒光光譜證明。
　　其次，通過焙燒g-C3N4和Sn6O4(OH)4法制備出了SnO2-x/g-C3N4高效復合型光催化劑。復合型催化劑在可見光下降解染料羅丹明B(RhB)溶液表現(xiàn)出優(yōu)良的光催化活性。此外，SnO2-x/g-C3N4復合型催化劑也可以有效降解其它多種染料。本文中具體的研究結果表明g-C3N4中摻雜SnO2-x能增加比表面積

4、和提高光吸收性能。然而，更重要的是SnO2-x和g-C3N4之間形成異質結結構，符合Z模式機理可以高效地促進電子-空穴對的分離，從而提高光催化活性。
　　基于相同的原理，最后通過簡焙燒Zn2SnO4-三聚氰胺混合物制備出復合型催化劑，并運用了BET, XRD，SEM，TEM，XPS，DRS，和PL一系列表征對催化劑的比表面，組成，形貌和吸光性能等做出了細致的分析。結果表明g-C3N4經(jīng)過Zn2SnO4修飾后，對其光吸收性能沒有影響