微電子封裝中純錫鍍層回流變色研究.pdf_第1頁
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文檔簡(jiǎn)介

1、隨著微電子行業(yè)無鉛化進(jìn)程的推進(jìn)，純錫鍍層在集成電路引線框架和連接器電鍍行業(yè)已經(jīng)成為一種廣為接受的錫鉛電鍍層的替代材料。純錫鍍層的回流溫度比錫鉛鍍層的回流溫度高約40℃，存在回流變色影響鍍層可靠性的問題。通過本論文的工作為電子工業(yè)無鉛化過程中解決回流變色問題提供理論支撐及技術(shù)指導(dǎo)，從而增加純錫鍍層的可靠性。
　　本論文主要采用電鍍的方法在 C194引線框架基材上沉積了亞光純錫鍍層，使用SEM（scanning electron mi

2、croscope）、EDS（energy dispersive X-Ray spectroscopy）、XRD（X-ray diffract meter）、XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)對(duì)框架基材和回流前后鍍層進(jìn)行表征。研究了純錫鍍層的微結(jié)構(gòu)、電鍍工藝條件、鍍液雜質(zhì)及引線框架基材對(duì)回流變色的影響，并對(duì)變色機(jī)理進(jìn)行了分析。
　　研究結(jié)果表明回流變色的直接原因是高溫條件下鍍層表面被氧化或者鍍

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