版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展,人們對(duì)能源的依賴性越來越強(qiáng),同時(shí)由于傳統(tǒng)能源的消耗對(duì)環(huán)境造成的污染,人類必須不斷的尋找著新能源。太陽能具有環(huán)??稍偕奶匦?,這也就讓我們對(duì)太陽能電池這個(gè)領(lǐng)域的研究更加充滿了興趣。半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)是其基本物理性質(zhì)的一個(gè)重要方面,同時(shí)也是與太陽能電池吸收器的一個(gè)重要物理性質(zhì)。
在本篇論文中首先利用密度泛函理論計(jì)算對(duì)SnSe2(1-x)O2x合金的能帶結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)提出理論預(yù)測。結(jié)果表明,當(dāng)氧濃度增加(x≤0.125
2、)時(shí)SnSe2(1-x)O2x合金的帶隙從1.03eV下降到0.772eV,并且沒有帶隙態(tài)。對(duì)于所有摻雜情況介電函數(shù)和光吸收都是各向異性的。氧替代硒后對(duì)SnSe2(1-x)O2x合金(x≤0.125)在x-y平面方向的光學(xué)性質(zhì)影響明顯。此外,合金SnSe2(1-x)O2x的形成焓計(jì)算表明氧摻雜SnSe2是可以實(shí)現(xiàn)的。這些結(jié)果很有趣,表明SnSe2(1-x)O2x合金的帶隙具有可調(diào)節(jié)性,是一種在近紅外光學(xué)應(yīng)用方面很有前景的材料。
3、 然后又對(duì)Sn1-xTixS2三元合金的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了研究。三元合金Sn1-xTixS2的帶隙值隨著鈦濃度x的增加(0<x≤0.25)從1.926eV減少到1.27eV,導(dǎo)致在可見光范圍內(nèi)的光吸收明顯的增加。而隨著鈦濃度x增加時(shí)三元合金Sn1-xTixS2靜態(tài)介電常數(shù)值也在增加。這些結(jié)果都表明Sn1-xTixS2三元合金具有可調(diào)帶隙,可以作為一種很有前景的可見光吸收器的候選材料。
最后,我們依據(jù)雜化密度泛函理論,研究
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- InBr、AgBr 和SnX(X=S, Se,Te) 熱電性質(zhì)的第一性原理研究.pdf
- CuCr2X4(X=S,Se,Te)電子結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究.pdf
- 三元陶瓷電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究.pdf
- halfheusler合金xyz(x=cr,mn,fez=s,se)的第一性原理研究
- 三元化合物的熱電、光學(xué)、拓?fù)湫再|(zhì)的第一性原理研究.pdf
- 高壓下三元半導(dǎo)體電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究
- 四元合金GaAsBiN電子和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究.pdf
- 高壓下三元半導(dǎo)體電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究.doc
- 10088.高壓下三元半導(dǎo)體電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究
- 三元混晶GaAs1-xSbx電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究.pdf
- 11744.三元層狀鉭鋁碳陶瓷電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究
- 三元混晶BexZn1-xO電子結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)的第一性原理計(jì)算.pdf
- Half-Heusler合金XYZ(X=Cr,Mn,FeZ=S,Se)的第一性原理研究_3836.pdf
- 半導(dǎo)體CuXTe2(X=Ga,In)和ZnGa2X4(X=S,Se)第一性原理研究.pdf
- Ⅲ族氮化物三元混晶的電子結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)的第一性原理計(jì)算.pdf
- 三元混晶AlχGa1χ-As的電子能帶結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究.pdf
- 高熵合金AlxCoCrFeNi(X=1,2)力學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究.pdf
- 新型二元和三元熱電材料的第一性原理研究.pdf
- ZnO光學(xué)性質(zhì)與摻雜的第一性原理研究.pdf
- 三元混晶AlxGa1-xSb的第一性原理研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論