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文檔簡介
1、隨著光電產業(yè)的發(fā)展,Ⅱ-Ⅵ族寬禁帶半導體光電材料ZnO受到了科研人員的青睞,其成本低、性能穩(wěn)定、易于摻雜、容易滿足各種光電設備的需求,應用于紫外光電器件,因此被廣泛研究。
應用第一性原理計算,我們探討了纖鋅礦ZnO與BexZn1-xO三元混晶的晶格常數、電子結構與光學性質,論文首先簡介ZnO晶體的性質、應用及研究進展,接著簡介密度泛函的基本理論,最后將ZnO與BexZn1-xO晶格結構優(yōu)化后,我們得到了組分x取不同值時穩(wěn)定結構
2、的晶格常數,并進一步計算了材料的電子結構和光學性質隨混晶組分x的變化情況。
我們通過計算得出,BexZn1-xO三元混晶的晶格常數a與c都隨Be組分的增加而減小,遵守維加德定律,與實驗值相符合。BexZn1-xO三元混晶帶隙值隨Be濃度增大而增大,而我們計算之后的帶隙值遠比實驗值小很多,故對帶隙做了進一步修正,結果與實驗值基本一致。態(tài)密度的計算表明,BexZn1-xO能帶價帶頂由O-2p態(tài)電子占據,導帶底是由Zn的4s電子態(tài)占
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