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1、由于復(fù)合材料在各領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,不僅需要研究其宏觀性能,更需要研究其細(xì)觀的損傷破壞規(guī)律?;ミB薄膜導(dǎo)線芯片封裝電路中,二氧化硅絕緣基體和芯片組成的封裝電路可視為一種復(fù)合材料結(jié)構(gòu),其宏觀力學(xué)性質(zhì)為正交各向異性材料。各種復(fù)合材料結(jié)構(gòu)在成型和加工過程中間經(jīng)常會(huì)呈現(xiàn)各種各樣的缺陷,其中夾雜是典型的缺陷之一。另外對(duì)于一些陶瓷材料通過顆?;驃A雜可以改良材料的宏觀力學(xué)性能。各種復(fù)合材料結(jié)構(gòu)在研究中經(jīng)常視為正交各向異性材料來處理,因此研究正交各向異性材料
2、中夾雜的演化及夾雜體對(duì)蠕變特性的影響,對(duì)含缺陷的正交各向異性材料性能評(píng)價(jià)有著重要的理論參考意義和實(shí)際工程應(yīng)用價(jià)值。
本文首先建立了梯度載荷下正交各向異性材料中夾雜演化的力學(xué)模型,然后基于Lekhnitskii理論均布載荷下正交各向異性材料中夾雜界面應(yīng)力的控制方程,解出應(yīng)力表達(dá)式,再通過等效疊加的方式得到梯度載荷下應(yīng)力的表達(dá)式,進(jìn)而給出正交各向異性材料中夾雜遷移速率的解析解。算例結(jié)果表明,存在一個(gè)0xx(x為橢圓圓心在整體坐標(biāo)系
3、中的坐標(biāo)),可以使遷移速率為0;當(dāng)0xx時(shí),x越小,遷移速率為負(fù)且越大;當(dāng)0xx時(shí),x越大,遷移速率為正且越大。同時(shí),(基體與夾雜的彈性模量之比)越小,遷移速率變化的越快。隨著橢圓形狀參數(shù)m的變化,m越大時(shí),速率的變化越快。
其次,把含夾雜的正交各向異性材料設(shè)為具有周期性夾雜的微觀結(jié)構(gòu),取其一個(gè)基本單元的橫斷模型,根據(jù)界面擴(kuò)散理論和質(zhì)量守恒定律,給出夾雜頂點(diǎn)的蠕變速率的表達(dá)式。算例結(jié)果表明,無論1或1時(shí),蠕變速率都隨fv(夾雜
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