有機電致發(fā)光器件功能層修飾及其對器件光電性能的影響.pdf

1、有機電致發(fā)光現(xiàn)象(OEL)自從被發(fā)現(xiàn)以來，有機電致發(fā)光器件(OLED)的研究就一直處于不斷發(fā)展的狀態(tài)，直到1987年鄧青云博士首次采用真空蒸鍍的方法制備了基于Alq3的熒光OLED器件，使得OLED器件光電性能得到了極大的提升。也才會有眾多廠商和科研院所爭相投入巨額財力、物力，爭取在OLED這一高新技術(shù)領(lǐng)域占有一席之地。但是OLED在大規(guī)模商業(yè)化方面還存在著一些問題，比如OLED器件壽命短、穩(wěn)定性低、產(chǎn)品良率低等，這些問題都限制了OLE

2、D在市場上的普及。對于科研工作者來說，這些問題的存在也給我們的研究指明了方向:
　　(1)在陽極修飾方面，使用P型金屬氧化物MoO3對ITO電極進行修飾，并制備結(jié)構(gòu)為ITO/MoO3/NPB/Alq3/LiF/Al的器件，比較了不同厚度的MoO3對OLED器件電流密度-電壓特性，亮度-電壓特性的改變，結(jié)果表明MoO3厚度的增加有助于提高空穴注入能力以及器件的穩(wěn)定性。再利用紫外-臭氧和空氣等離子體分別對MoOx進行處理，并用X射線電

3、子能譜(XPS)測量MoOx中Mo/O含量，制備器件說明MoOx中O含量的改變對空穴注入能力的影響，證明了空氣等離子體處理在陽極修飾方面的積極作用;
　　(2)在陰極修飾方面，利用N型半導(dǎo)體LiF對陰極進行修飾，再比較LiF或Cs2CO3摻雜Alq3對器件性能的影響，發(fā)現(xiàn)Cs2CO3摻雜Alq3后的電子注入效率相比LiF摻雜Alq3有極大的提升;
　　研究表明空氣等離子體處理MoOx可以提升陽極的空穴注入能力，而Cs2CO3