圓錐探針電場(chǎng)增強(qiáng)特性的數(shù)值模擬研究.pdf

1、隨著社會(huì)的不斷發(fā)展，人類所掌握的知識(shí)越來越多，尤其是進(jìn)入21世紀(jì)后，信息量呈現(xiàn)一種爆炸式的增長，速度比以往任何時(shí)候都快的多，現(xiàn)有的存儲(chǔ)技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足知識(shí)大爆炸的時(shí)代背景。因此，超高密度的存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展和革新已經(jīng)成為了時(shí)代發(fā)展的必然要求，尤其是近場(chǎng)光存儲(chǔ)，以其能夠突破衍射極限限制的優(yōu)點(diǎn)吸引了眾多科研工作者的關(guān)注。
　　首先，本文對(duì)光存儲(chǔ)技術(shù)的歷史進(jìn)行了簡(jiǎn)單的介紹，并且給出了限制當(dāng)前光存儲(chǔ)發(fā)展的原因---衍射極限的概念。目前，藍(lán)

2、光光盤（激光為藍(lán)光）單片容量可達(dá)到27GB。由于光的衍射極限的限制，傳統(tǒng)的遠(yuǎn)場(chǎng)光存儲(chǔ)發(fā)展的潛力十分有限。將來發(fā)展的大方向主要包括能夠突破光盤平面限制的三維光學(xué)體存儲(chǔ)和突破衍射分辨率極限的近場(chǎng)光學(xué)存儲(chǔ)技術(shù)。本文對(duì)這兩種存儲(chǔ)技術(shù)分別做了介紹。
　　其次，本文介紹了表面等離子體的基本概念。通過闡述表面等離子體的發(fā)現(xiàn)歷程以及金屬中等離子體的幾種模態(tài)，使大家對(duì)于本文研究錐尖尖端電場(chǎng)增強(qiáng)特性的原理有一個(gè)詳盡的了解。隨后簡(jiǎn)單介紹了表面等離子體極

3、化激元的幾種激勵(lì)方法。
　　最后，本文通過使用有限元方法（Finite Element Method），詳細(xì)分析了錐尖長度和入射光與錐尖軸線夾角對(duì)電場(chǎng)局域增強(qiáng)的影響。工作目的是尋求最優(yōu)的錐尖形貌，使其達(dá)到錐尖尖端電場(chǎng)增強(qiáng)的最大值。在前人的工作中，人們僅僅對(duì)單獨(dú)的錐尖進(jìn)行研究，這樣只能在一定程度上反映出錐尖增強(qiáng)的光學(xué)響應(yīng)特性。在實(shí)際應(yīng)用中，錐尖還需要一系列的配套設(shè)施，其中最不能忽視的就是記錄介質(zhì)的影響。本文嘗試把記錄介質(zhì)引入到了模擬