MLC型NAND閃存的差錯控制編碼技術研究.pdf

1、MLC型NAND閃存由于低成本、大容量等優(yōu)點而得到廣泛應用。多級存儲單元(MLC)技術可用來提高 NAND閃存的數(shù)據(jù)存儲密度(容量),然而,隨著 NAND閃存芯片封裝尺寸的縮小,MLC型NAND閃存的可靠性面臨著嚴峻的挑戰(zhàn),無法滿足未來數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的需求,而糾錯編碼是提高閃速存儲系統(tǒng)可靠性的有效途徑。
　　本文對 MLC型 NAND閃存的差錯控制編碼技術進行了研究,針對閃存的數(shù)據(jù)表示和錯誤類型,分析并給出了相應的解決方案和糾錯算法

2、,主要內容如下:
　　1.概括了閃存的特性和差錯控制基礎,介紹了NAND閃存存儲單元的編程、擦除操作和理想的閾值電壓分布,并詳細分析了閃存信道噪聲模型及其對閾值電壓分布的影響。
　　2.為了降低過度編程的風險和電荷泄露的影響,分析了用置換存儲數(shù)據(jù)的等級調制方案,并給出實現(xiàn)該方案的兩種等級調制格雷碼和用等級表示置換的計數(shù)算法。實驗結果表明平衡等級調制格雷碼的躍變代價比非平衡等級調制格雷碼小。
　　3.針對閃存系統(tǒng)級的錯誤