Zn0基TFT的制備及其電學性能的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文主要研究內容為以Zn0薄膜為有源層,Mg0為絕緣層的薄膜晶體管(ZnO-TFT),研究了不同工藝參數對晶體管電學性能的影響。
　　首先,采用射頻磁控濺射工藝在ITO玻璃襯底上濺射Mg薄膜后退火氧化得到Mg0薄膜。利用不同的工藝參數,通過對其表面形貌、絕緣性能和透光率的測試,得出了Mg0薄膜最佳工藝參數。通過研究發(fā)現,在濺射功率為200W,濺射氣壓為3Pa時,制備的 Mg0薄膜質量最佳。
　　其次,利用射頻磁控濺射在已制

2、備好的Mg0薄膜上制備Zn0薄膜,研究不同制備參數(濺射功率、濺射氣壓、氬氧比、襯底溫度)對薄膜的晶體結構、光學性能的影響規(guī)律。結果表明:各種濺射工藝條件下制備的Zn0薄膜都沿(002)方向擇優(yōu)生長,對可見光的透過率均大于80％,光學禁帶寬度在3.30eV附近。
　　最后,在Zn0薄膜上通過掩膜蒸發(fā)法制備Al電極,形成ITO/ MgO/ZnO/AI底柵頂接觸型ZnO-TFT,并對不同制備參數下制備的器件的輸出特性曲線和轉移特性曲線

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