AZO透明導(dǎo)電薄膜及其用于GaN基LED透明電極的研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、本文利用脈沖激光沉積技術(shù)(PLD)和直流磁控濺射技術(shù)制備了性能優(yōu)良的氧化鋅摻鋁(AZO)透明導(dǎo)電薄膜，對(duì)AZO薄膜用作于GaN基發(fā)光二極管(LED)透明電極進(jìn)行了探索。主要工作內(nèi)容包括:
　　1.采用PLD技術(shù)在玻璃襯底上制備AZO薄膜，研究了襯底溫度和氧壓對(duì)薄膜性能的影響。將PLD法制備的AZO薄膜用作于GaN基LED透明電極，芯片測(cè)試結(jié)果表明，當(dāng)電流為20mA時(shí)，芯片正向電壓10V左右，芯片發(fā)光不均勻。進(jìn)一步的分析測(cè)試表明，由

2、于晶界處原子的擴(kuò)散和等離子體對(duì)材料有一定的損傷，使得界面處AZO和GaN材料的電學(xué)性能降低，形成一20～30nm厚的高阻層，導(dǎo)致AZO與p型GaN層之間無(wú)法形成良好的歐姆接觸。
　　2.采用直流磁控濺射法生長(zhǎng)了性能優(yōu)良的AZO薄膜，將AZO/ITO復(fù)合膜用作于GaN基LED透明電極，對(duì)芯片制備工藝進(jìn)行探索，成功的制備了以AZO/ITO復(fù)合膜為透明電極的GaN基LED芯片;工藝方案:首先鍍AZO/ITO復(fù)合膜，再刻蝕n-GaN臺(tái)階，

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