版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、本文主要研究了SiC@SiO2納米電纜包覆層厚度的可控處理及制備SiC@SiO2納米電纜的原料殘留物及SiC@SiO2納米電纜的疏水改性;首先采用了煅燒法和堿洗法分別對(duì)SiC@SiO2納米電纜包覆層厚度進(jìn)行了可控處理,對(duì)于煅燒法,分別考慮了煅燒溫度和煅燒時(shí)間對(duì)SiC@SiO2納米電纜包覆層厚度的可控處理影響;在煅燒溫度為1300℃,煅燒時(shí)間為8h條件下,SiO2包覆層幾乎完全被去除,但在煅燒過(guò)程中SiO2包覆層厚度無(wú)法實(shí)現(xiàn)有效控制。然而
2、對(duì)于簡(jiǎn)單、高效、低成本的堿洗法,不但可以獲得帶有SiO2包覆層厚度可控的SiC@SiO2納米電纜而且還可以得到純凈的SiC納米線;并推導(dǎo)出了固、液兩相反應(yīng)動(dòng)力學(xué)方程,它的合理性也通過(guò)條件實(shí)驗(yàn)進(jìn)行了驗(yàn)證。這個(gè)方程不但為得到SiO2包覆層厚度可控的SiC@SiO2納米電纜提供了指導(dǎo),還為其在特殊領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了實(shí)驗(yàn)及理論基礎(chǔ);另外,從帶有不同SiO2包覆層厚度的SiC@SiO2納米電纜的PL光譜中可以看出,SiO2包覆層厚度為3.03nm時(shí)
3、,SiC納米線的PL光譜強(qiáng)度最大。
其次,以KH570、Si69和FAS為改性劑對(duì)制備SiC@SiO2納米電纜的原料殘留物進(jìn)行表面疏水改性,疏水處理過(guò)程中主要探討了改性劑的用量、改性時(shí)間和改性溫度對(duì)制備SiC@SiO2納米電纜的原料殘留物的表面疏水改性的影響;對(duì)于改性后殘留物表面能呈現(xiàn)疏水性能的機(jī)理作出了詳細(xì)的解釋,并且對(duì)于殘留物表面改性的工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)選。以KH570為改性劑時(shí),疏水改性的優(yōu)選工藝參數(shù)為:改性劑的體積分?jǐn)?shù)為
4、2%、改性時(shí)間1h、改性溫度60℃。優(yōu)選條件下所得改性底料的接觸角是107°。以Si69為改性劑時(shí),疏水改性的優(yōu)選工藝參數(shù)為:改性劑的體積分?jǐn)?shù)為1%、改性時(shí)間3h、改性溫度55℃。優(yōu)選條件下所得改性底料的接觸角是112°。以FAS為改性劑時(shí),疏水改性的優(yōu)選工藝參數(shù)為:改性劑的體積分?jǐn)?shù)為1%、改性時(shí)間12h、改性溫度20℃。優(yōu)選條件下所得改性底料的接觸角是134°。另外,采用球磨法改性時(shí),在常溫下,固定FAS改性劑體積分?jǐn)?shù)為1%,改性時(shí)間
5、為1h條件下所得到的殘留物表面的接觸角為132°,表面的疏水效果較好。
最后,以FAS為改性劑,對(duì)SiC@SiO2同軸納米電纜進(jìn)行了超疏水改性,改性過(guò)程中主要探討了改性時(shí)間和改性溫度對(duì)SiC@SiO2同軸納米電纜的疏水效果的影響,并優(yōu)選了疏水改性工藝,優(yōu)化出的最佳工藝為改性劑的體積分?jǐn)?shù)為1%,改性時(shí)間為24h,改性溫度為25℃。在此工藝條件下所得到的產(chǎn)物表面的接觸角為153°,呈現(xiàn)出了超疏水的性能,并且此表面的超疏水性具有長(zhǎng)期
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- SiC@SiO2納米電纜包覆層厚度的可控處理及疏水改性研究.pdf
- SiC-SiO2同軸納米電纜量產(chǎn)化制備工藝研究.pdf
- SiC泡沫陶瓷表面負(fù)載共摻雜納米TiO2包覆層性能的研究.pdf
- SiC-SiO2-Co-SiO2納米線制備及吸波性能研究.pdf
- SiO2納米顆粒改性的玻璃和活性炭及其疏水性能研究.pdf
- 氟硅改性SiO2納米涂層的表面結(jié)構(gòu)與疏水性能調(diào)控研究.pdf
- SiO2陶瓷基復(fù)合纖維膜的疏水改性及拉伸性能研究.pdf
- 納米SiO-,2-改性脲醛樹(shù)脂的研究.pdf
- PEA-納米SiO2改性PET的制備及性能研究.pdf
- 納米SiO-,2-包覆硅灰石粉填充改性聚丙烯的研究.pdf
- 納米SiO2的制備及其改性PET的研究.pdf
- 納米SiO-,2-改性PC及PC-ABS的研究.pdf
- 超疏水SiO2納米復(fù)合涂層的制備與性能研究.pdf
- SiO2復(fù)合薄膜改性及DDS修飾的搪瓷表面疏水性能研究.pdf
- SiO2中Cu納米顆粒合成及輻照改性研究.pdf
- 納米SiO2-復(fù)合微球的制備及混凝土表面疏水化防護(hù)研究.pdf
- 靜電紡絲法制備β-SiC-SiO2纖維、SiO2和SiO2-ZnO中空納米纖維及其性能研究.pdf
- 納米金紅石型TiO2-SiO2的制備及改性研究.pdf
- SiO2-GQDs熒光納米復(fù)合顆粒的可控制備及性能研究.pdf
- 納米SiO2改性丙烯酸類漿料的研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論