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文檔簡介
1、聚酰亞胺(PI)是力學、熱學及電氣絕緣性能優(yōu)越的高分子材料之一,被廣泛的應(yīng)用于各個領(lǐng)域。然而,隨著科技的發(fā)展,這類高分子材料的要求也變得越來越高。純 PI已經(jīng)難以達到發(fā)展的要求,因此,以聚酰亞胺為基體的復合材料,已成為學術(shù)界和工業(yè)界的研究熱點。
本論文,用原位聚合方法分別制備了摻雜鈮酸鉀鈉(KNN)含量為0 wt%、5 wt%、10 wt%、15 wt%、20wt%的鈮酸鉀鈉/聚酰亞胺(KNN/PI)的復合薄膜。并對復合薄膜進
2、行通過 X射線衍射、掃描電子顯微鏡、介電測試分別對鈮酸鉀鈉/聚酰亞胺復合膜的結(jié)構(gòu)、形貌、介電性能進行表征與分析。測試結(jié)果表明,KNN在PI的基體中分散均勻且穩(wěn)定,其聚酰亞胺薄膜的介電性能得到了顯著提高。鈮酸鉀鈉/聚酰亞胺復合膜的介電常數(shù),隨著鈮酸鉀鈉粒子的增加而增大,當鈮酸鉀鈉粒子質(zhì)量分數(shù)為20%時,其介電常數(shù)達到了4.9(100 Hz),其介電損耗角正切值小于0.025(100 Hz),顯示了良好的絕緣性能。
隨后對薄膜進行
3、了電致發(fā)光實驗(EL),實驗結(jié)果表明摻雜 KNN對薄膜的擊穿閥值影響較大,這是因為摻雜后薄膜的缺陷增多使之變得較易擊穿。在300~350nm、450~500nm、550~600nm之間發(fā)現(xiàn)特征峰,發(fā)現(xiàn)摻雜鈮酸鉀鈉粒子后對分子間斷裂沒有產(chǎn)生影響,因此電致發(fā)光的光譜沒有明顯改變。
本文運用了兩參數(shù) Weibull分布方法對聚酰亞胺薄膜擊穿場強的可靠性進行了分析,并求其中值壽命和中值預擊穿場強,當 F(t)=0.5時, t=164.
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