二硫化鉬二維納米復(fù)合材料的制備及其光電特性.pdf

1、近些年以來(lái)，二維層狀納米材料因其具有獨(dú)特的光電性能引起了科研界的廣泛關(guān)注，并且在光電領(lǐng)域有著不俗的應(yīng)用。二硫化鉬（molybdenum disulfide，MoS2）屬于過(guò)渡金屬硫化物（TMDs），也是典型的二維層狀納米材料之一，由于其獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)，較高的遷移率以及可調(diào)控的帶隙，使得其在光電器件，如晶體管、傳感器、電存儲(chǔ)等領(lǐng)域有著不俗的潛在應(yīng)用。隨著二硫化鉬納米材料與有機(jī)材料結(jié)合所展現(xiàn)出來(lái)的新的性質(zhì)與應(yīng)用，越來(lái)越多的人開(kāi)始研究二硫

2、化鉬與其他材料結(jié)合的可行性。因此制備基于二硫化鉬納米復(fù)合材料及其在光電領(lǐng)域的應(yīng)用逐漸掀起了新的研究熱潮。
　　綜上所述，本文以單層二硫化鉬納米片為主要研究的對(duì)象，首先對(duì)其進(jìn)行多次離心再分散，通過(guò)液相轉(zhuǎn)移法來(lái)將二硫化鉬轉(zhuǎn)移至我們想要的溶劑中。在這樣的條件下，重點(diǎn)研究了二硫化鉬—6,6-苯基-C61-丁酸甲酯（MoS2-PC61BM）納米復(fù)合材料，二硫化鉬—金納米粒子（MoS2-Au NPS）復(fù)合材料在電存儲(chǔ)器上的應(yīng)用，并通過(guò)改善相關(guān)

3、條件對(duì)器件進(jìn)行優(yōu)化從而提高了電致儲(chǔ)器的性能。本論文主要涵蓋以下三個(gè)方面：
　　第一，本文主要采用經(jīng)鋰離子插層法對(duì)二硫化鉬進(jìn)行剝離，并通過(guò)提純得到水相單層二硫化鉬，然后通過(guò)液相轉(zhuǎn)移的方法，經(jīng)過(guò)多次離心再分散將二硫化鉬從水溶劑中轉(zhuǎn)移到其它有機(jī)溶劑中，同時(shí)通過(guò)原子力顯微鏡（AFM），透射電子顯微鏡（TEM）等對(duì)其進(jìn)行分散性比較。在此基礎(chǔ)上，著重研究了基于單層MoS2-PC61BM納米復(fù)合材料并進(jìn)行了測(cè)試表征。
　　第二，本文主要以

4、選取了上述復(fù)合材料（MoS2-PC61BM）作為電存儲(chǔ)器件的活性層，制備出基于單層二硫化鉬納米復(fù)合材料的非易失性（Flash）型存儲(chǔ)器件，為了改善性能，后續(xù)做出了一系列比較實(shí)驗(yàn)。通過(guò)調(diào)節(jié)摻雜比，實(shí)現(xiàn)器件類(lèi)型之間的轉(zhuǎn)變并展現(xiàn)了良好的器件性能，并研究活性層的厚度對(duì)器件的影響。最后結(jié)合前面對(duì)復(fù)合材料的表征和對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的擬合分析，提出了一個(gè)可行的存儲(chǔ)機(jī)理。
　　第三，本文直接采用了MoS2-Au NPS納米復(fù)合材料作為電存儲(chǔ)器件的活性層，