ALD法制備AZO薄膜及光電性質(zhì)研究.pdf

1、氧化鋅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來受到廣泛的關(guān)注。和ITO相比，氧化鋅具有廉價，無毒，在空氣中更加穩(wěn)定的特性。氧化鋅n型導(dǎo)電薄膜可進(jìn)行鋁，鎵，銦等三價原子的摻雜。在這些元素中，鋁摻雜的氧化鋅由于其在可見光和近紅外區(qū)良好的透光性和低電阻率被認(rèn)為有可能作為光電器件的電極。到目前為止，根據(jù)我們所了解到的，AZO薄膜已經(jīng)用在了有機(jī)發(fā)光二極管和太陽能電池中，但是還沒應(yīng)用在有機(jī)近紅外探測器中。由于原子層沉積法具有簡單而精確的厚度控制，大面積，大

2、批量，良好的保型性和再現(xiàn)性的能力，使得其成為一種有效的半導(dǎo)體薄膜沉積技術(shù)。原子層沉積法生產(chǎn)的薄膜通常是致密的且無空隙的，并且具有良好的襯底適應(yīng)性。最近通過原子層沉積生長的鋁摻雜的氧化鋅薄膜的電阻率可以達(dá)到10-4Ω?cm。
　　本文中，我們以二乙基鋅，三甲基鋁作為氧化鋅和三氧化二鋁的金屬前軀體，水作為氧源，在襯底透明襯底上用原子層沉積的方法制備了Al含量分別為1％，2%，3%的AZO薄膜以及ZnO薄膜，通過XRD，霍爾測試，掃描電