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1、氧化物熱電材料具有熱導(dǎo)率低,制備工藝簡(jiǎn)單,高溫條件下不存在氧化問(wèn)題,價(jià)格低廉而且不含有毒化學(xué)元素等特點(diǎn),因而受到了廣泛關(guān)注。其中,具有ZrCuSiAs型分層結(jié)構(gòu)的BiCuSeO化合物,不僅熱導(dǎo)率低,而且電阻率可調(diào)控,其熱電性能在最近三年來(lái)穩(wěn)步提升,ZT值由0.5以及提高到1.0以上,具有重要的應(yīng)用前景。
本文采用兩步固相反應(yīng)法制備了Na摻雜的BiCuSeO樣品,以及Na摻雜與Cu缺位同時(shí)存在的BiCuSeO樣品,經(jīng)高能球磨粉碎
2、后、再熱壓燒結(jié)得到致密塊體樣品。采用X射線衍射分析(XRD)、場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(FESEM)、能譜分析(EDS)、熱分析(DTA)等手段表征了樣品的物相組成以及組織結(jié)構(gòu),利用實(shí)驗(yàn)室自主研發(fā)的Namicro-II型熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)對(duì)測(cè)試研究了塊體材料在不同溫度下的電阻率和Seebeck系數(shù),材料的載流子濃度、遷移率通過(guò)霍爾系數(shù)測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)量,采用激光熱導(dǎo)儀測(cè)量材料的熱擴(kuò)散系數(shù)。得出以下主要結(jié)果:
以Na2CO3作為Na源對(duì)BiC
3、uSeO材料進(jìn)行了Na摻雜,發(fā)現(xiàn)Na含量對(duì)其相組成,微觀形貌以及熱電性能的影響具有以下特點(diǎn):具體如下1)當(dāng)Na摻雜量低于6%時(shí),所有的Na都摻入到BiCuSeO化合物中的Bi位置,化合物晶格常數(shù)隨Na摻入量增大而減小,Na在BiCuSeO里面進(jìn)入到 Bi位置的固溶極限為6%左右。當(dāng) Na摻雜量高于6%后,富余的Na2CO3會(huì)與有一部分與Se反應(yīng)生成的Na2SeO3作為第二相存在于晶粒界面處。2) Na摻雜可以引入空穴載流子降低材料的電阻
4、率,增大材料的功率因子;此外由于Na摻雜到Bi位引入質(zhì)量擾動(dòng)和點(diǎn)缺陷對(duì)聲子的散射,使得樣品的熱導(dǎo)率降低,綜合熱電性能改善。當(dāng)Na摻雜量超過(guò)Na在BiCuSeO里的固溶極限,可以在不明顯影響功率因子的情況下,引入第二相散射聲子進(jìn)一步降低材料熱導(dǎo)率。3)研究表明,在Na摻雜量為8%時(shí)的樣品在873K的熱電優(yōu)值達(dá)到最大值0.97@873K,相比于沒(méi)有進(jìn)行摻雜的BiCuSeO樣品的熱電優(yōu)值提高了大約兩倍。
在Na摻雜同時(shí)進(jìn)行Cu缺位處
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