基于TiO2納米棒陣列的鈣鈦礦太陽能電池的制備和性能優(yōu)化.pdf

1、近年來，鈣鈦礦太陽能電池因為其制備簡單、原料易得、成本低廉和高效率等優(yōu)點受到了研究者的極大關注并得到快速發(fā)展，光電轉化效率(PCE)從2009年的3.8％快速增長到2016年的22.1％。高度取向的TiO2納米棒陣列擁有良好的電子傳輸性能，是鈣鈦礦太陽能電池的優(yōu)秀電子傳輸材料，但已發(fā)表的基于TiO2納米棒陣列的鈣鈦礦電池效率不高，小于14％。
　　本文探討了基于TiO2納米棒陣列的高效率鈣鈦礦太陽能電池的制備。文章首先以鈦酸四丁酯

2、(TBOT)為前驅(qū)體，在丁酮-鹽酸(HCl)體系中加入有機酸，進行水熱反應制備得到金紅石型單晶TiO2納米棒陣列薄膜，探究了前驅(qū)體濃度，反應時間和有機酸種類對TiO2納米棒高度，直徑，密度和孔隙空間分數(shù)(Void Space Fraction，VSF)的影響。其次，文章用溶劑工程法制備CH3NH3PbI3薄膜，探究了甲苯用量對CH3NH3PbI3薄膜性能的影響，研究發(fā)現(xiàn)使用200μl甲苯能夠得到均勻致密且晶粒尺寸大的CH3NH3PbI3

3、薄膜。
　　本文在TiO2納米棒陣列研究和鈣鈦礦薄膜研究的基礎上，進行了鈣鈦礦太陽能電池的制備和探討。研究結果表明，TiO2與CH3NH3PbI3以及空穴傳輸材料形成了PIN結構，這對提高電池效率有關鍵性作用。另外，文章通過改進致密層工藝，紫外臭氧(UVO)處理，調(diào)節(jié)TiO2納米棒的VSF和摻雜來優(yōu)化電池性能。研究證明UVO處理能夠減小載流子復合和界面處的電荷累積，合適的VSF能夠通過優(yōu)化TiO2/CH3NH3PbI3界面有效提高