InN薄膜的制備及三階非線性光學(xué)性質(zhì)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、利用磁控濺射技術(shù)在藍(lán)寶石(Al2O3)襯底上制備了InN薄膜。純金屬銦為靶材，濺射氣體為Ar，反應(yīng)氣體為N2。用X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡、紫外-可見分光光度計(jì)等設(shè)備研究了濺射氣壓、反應(yīng)氣體流量和退火等因素對(duì)生長(zhǎng)InN薄膜的結(jié)構(gòu)、表面形貌、吸收特性及光學(xué)帶隙的影響。
　　實(shí)驗(yàn)主要得出以下結(jié)果：
　　(1)改變?yōu)R射氣壓實(shí)驗(yàn)條件的結(jié)果表明，制備的InN薄膜的晶體取向從(002)取向過渡到(101)取向；晶體形貌從球形顆粒向長(zhǎng)條

2、狀的形貌轉(zhuǎn)變；當(dāng)濺射壓強(qiáng)為1.0 Pa時(shí)，光學(xué)帶隙為最小。
　　(2)改變氮?dú)饬髁勘嚷蕦?shí)驗(yàn)條件的結(jié)果表明，制備的InN薄膜的晶體取向從(101)取向過渡為(002)擇優(yōu)取向；晶體形貌從球形和長(zhǎng)條形共存的形貌向球形的形貌過渡；隨著氮?dú)饬髁勘嚷实脑黾?，發(fā)現(xiàn)InN薄膜的光學(xué)帶隙變大。
　　(3)純N2制備的InN薄膜樣品，隨退火溫度的升高，光學(xué)帶隙值降低，結(jié)晶質(zhì)量變好。
　　(4)利用開孔和閉孔透射Z掃描實(shí)驗(yàn)，測(cè)試了光子能量

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