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文檔簡介
1、ZnO是一種重要的寬禁帶直接帶隙半導(dǎo)體,禁帶寬度為3.37 eV,有著高達(dá)60meV的激子束縛能,其制備方法多樣且簡單,相較于制備工藝更復(fù)雜的GaN等寬禁帶半導(dǎo)體,ZnO在短波長光電器件,尤其是紫外光電探測(cè)方面有著很好的應(yīng)用前景。目前,對(duì)其寬光譜響應(yīng)和熱敏性能的研究不夠全面,為了使ZnO材料具有不局限于紫外區(qū)域的光電響應(yīng)以及更加優(yōu)異的熱敏性能,本文分別使用Li和Mg元素?fù)诫s對(duì)ZnO性質(zhì)進(jìn)行調(diào)控,采用更經(jīng)濟(jì)和方便的低溫燃燒合成制備出帶狀Z
2、nO摻雜微/納米材料并對(duì)其進(jìn)行測(cè)試研究。
本研究主要內(nèi)容包括:⑴對(duì)ZnO:Li和ZnO:Mg微/納米材料分別進(jìn)行熱敏性能測(cè)試后發(fā)現(xiàn)兩種摻雜的樣品在加熱后呈現(xiàn)出負(fù)溫度系數(shù),在室溫到250℃的測(cè)試范圍內(nèi)樣品都表現(xiàn)出穩(wěn)定、優(yōu)秀的熱敏性能。與同種方法制備的純ZnO微/納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行對(duì)比后可以看出摻雜大大提高了樣品的熱敏性能。⑵對(duì)600℃退火下的ZnO:Li微/納米材料的光電導(dǎo)性能研究發(fā)現(xiàn)樣品在與Ag接觸時(shí)形成歐姆接觸,而且表現(xiàn)出持續(xù)的光
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