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文檔簡介
1、印刷電子技術(shù)可望帶來電子器件和顯示技術(shù)的革命,用印刷的方法取代目前制作硅基集成電路的PCB加工技術(shù),將實現(xiàn)相關(guān)電子產(chǎn)品的大面積、柔性化、低成本以及綠色制造,推動太陽能電池、柔性顯示器等的技術(shù)發(fā)展。為了優(yōu)化傳統(tǒng)的PCB蝕刻工藝過程和剛性基材,滿足PCB板柔性、透明、高密度布線和優(yōu)良電學(xué)性能的要求,急需對當(dāng)前柔性基底透明導(dǎo)電薄膜材料和制備技術(shù)進行探索。
本論文致力于研究印刷電子產(chǎn)品的柔性化方法,利用低溫沉積技術(shù)和薄膜生長機理,制備
2、出符合柔性電子器件基本性能要求的PET基納米氧化鋅透明導(dǎo)電膜,并對制備完成的透明導(dǎo)電膜進行性能表征和實際應(yīng)用研究。薄膜制備方面,在密閉的聚四氟乙烯瓶中用Zn(NO3)2和六亞甲基四胺的混合溶液作為生長液,采用檸檬酸根陰離子控制納米生長過程,在PET上二次生長<001>取向的納米氧化鋅薄膜;性能表征方面,對透明導(dǎo)電膜進行表面形態(tài)分析、光學(xué)性能分析以及電學(xué)性能分析;實際應(yīng)用方面,經(jīng)過一個整體電子琴原理圖的設(shè)計后,采用印刷工藝制備電子琴的印制
3、電路板,將透明導(dǎo)電膜作為印制電路板上的一部分——電子琴鍵,完成電子元器件的表面貼裝,3D打印電子琴盒,制作出一個完整的半柔性電子琴。
實驗結(jié)果表明:(1)通過實驗條件的優(yōu)化,制備出微觀形貌表現(xiàn)最佳的納米氧化鋅透明導(dǎo)電膜。該膜制備的最佳反應(yīng)條件如下:生長液Zn(NO3)2的濃度為0.01~0.06mol/L,六亞甲基四胺的濃度為0.001mol/L,控制納米生長行為的檸檬酸根陰離子的濃度為1mg~2mg。(2)光學(xué)性能參數(shù):氧化
4、鋅透明導(dǎo)電膜光學(xué)性能合格,可見光范圍內(nèi)的平均透射率為76.60%。(3)電學(xué)性能參數(shù):納米氧化鋅透明導(dǎo)電膜樣品電阻率最大值2.947Ω·cm,最小值1.73Ω·cm,平均值1.9691Ω·cm,樣品電阻率最大百分變化70.35%;方塊點阻最大值19.88Ω/□,最小值16.82Ω/□,平均值為18.334Ω/□,樣品方阻值最大百分變化70.35%。(4)以PET為基材的納米氧化鋅透明導(dǎo)電膜,能夠取代電子琴印刷電路板的剛性基板及表層電路,
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