光觸發(fā)下半絕緣砷化鎵光電導開關沿面閃絡機理研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、脈沖功率技術是由于國防需要而發(fā)展起來的一門新興科學技術，并在基礎研究、環(huán)境保護、生物醫(yī)學等領域的應用得到了極大的拓展。光電導開關是脈沖功率系統(tǒng)中的關鍵器件，其性能直接決定著脈沖功率裝置的輸出特性，甚至是脈沖功率系統(tǒng)成敗的關鍵。隨著脈沖功率技術往高功率、高電壓方向發(fā)展，這對光電導開關的耐壓能力提出了很高的要求。而光電導開關沿面閃絡現(xiàn)象是光電導開關耐壓能力的一個重要限制因素。
　　本文基于SI-GaAs光電導開關非線性導通機制和固體電

2、介質沿面閃絡的SEEA理論，研究了光觸發(fā)條件下光電導開關沿面閃絡機理。分析指出沿面閃絡起始階段的初始電子主要來源于光觸發(fā)后產生的局部電子積累區(qū)的場致電子發(fā)射，通過計算得出電子積累區(qū)的電子濃度達到1017cm-3時，其已經具有發(fā)射電子的能力。發(fā)射出來的電子通過二次電子發(fā)射雪崩最終發(fā)展成貫穿的導電通道。相比于暗態(tài)電介質沿面閃絡，觸發(fā)光特性、延遲時間以及電流絲熱效應等與光電導開關獨有工作特性相關的因素也能影響光電導開關的沿面閃絡。
　　

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