GIS盆式絕緣子表面電荷分布對沿面閃絡(luò)的影響.pdf

1、氣體絕緣金屬封閉開關(guān)設(shè)備GIS(GasInsulatedSubstation)由于其占地面積少，絕緣性能好等優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于我國變電站建設(shè)中。實際運(yùn)行中的GIS在交流電壓和沖擊電壓作用下盆式絕緣子表面會積聚表面電荷，表面電荷的存在會使得局部電場發(fā)生畸變，導(dǎo)致絕緣子沿面閃絡(luò)的發(fā)生，但是，目前對于GIS盆式絕緣子表面電荷的分布以及影響程度不清楚，因此有必要研究SF6氣體下盆式絕緣子表面電荷積聚特性以及表面電荷積聚對其沿面閃絡(luò)的影響。

2、>　　本文在實際的220kVGIS裝置上，建立了盆式絕緣子表面電荷測量系統(tǒng)，研制了可用于實際GIS盆式絕緣子表面電荷測量的三維操控機(jī)構(gòu)，能夠帶動探頭對盆式絕緣子表面進(jìn)行全徑向，全角度的掃描，移動控制精度分別為1mm和1°。測量系統(tǒng)斜面探頭的電荷分辨率可達(dá)0.02106pC/(m2·nV)，探頭的空間分辨率為6.3mm2，弧面探頭的電荷分辨率可達(dá)0.0303pC/(m2·nV)，探頭的空間分辨率為4.4mm2。
　　本文在實際的22

3、0kVGIS表面電荷測量試驗平臺上，對直流電壓、交流電壓和沖擊電壓作用下盆式絕緣子表面電荷分布和積聚特性進(jìn)行了研究，發(fā)現(xiàn)在交流電壓作用下絕緣子出現(xiàn)表面電荷積聚，主要積聚負(fù)電荷。在直流電壓作用下，表面電荷具有極性效應(yīng)，正極性下絕緣子表面主要分布正電荷，負(fù)極性下表面電荷均為負(fù)電荷。在正負(fù)極性沖擊電壓作用下，絕緣子表面都存在正負(fù)電荷的累積，而且負(fù)電荷幅值比正電荷大。
　　研究了直流和交流電壓作用下GIS盆式絕緣子表面電荷對其沿面閃絡(luò)特性