版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、以GaN材料為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料具有耐高壓、耐高溫、強(qiáng)抗輻射性等優(yōu)點(diǎn),這些良好的特性使其能夠應(yīng)用到核輻射探測(cè)領(lǐng)域,采用寬禁帶半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)出新型結(jié)構(gòu)的器件對(duì)于推動(dòng)半導(dǎo)體材料器件的發(fā)展有著積極而重要的作用。
本文采用一種新型GaN/AlxGa1-xN結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)出PIN型核輻射探測(cè)器,首先從理論上分析了GaN/AlxGa1-xN基核輻射探測(cè)器的工作原理,然后在理論分析計(jì)算的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)出探測(cè)器結(jié)構(gòu)參數(shù)并采用Visual-TC
2、AD仿真軟件構(gòu)建器件結(jié)構(gòu)并進(jìn)行電學(xué)與Alpha粒子特性仿真。電學(xué)特性仿真方面從器件的能帶結(jié)構(gòu)、正反I-V特性、電勢(shì)結(jié)構(gòu)、載流子分布等方面詳細(xì)分析探測(cè)器的機(jī)理特性。本文主要詳細(xì)研究了探測(cè)器的Alpha粒子特性,采用最常用的入射能量為5.486Mev的α粒子對(duì)探測(cè)器進(jìn)行粒子特性仿真,分析結(jié)果后在理論設(shè)計(jì)方案的基礎(chǔ)上,對(duì)探測(cè)器P-I-N三個(gè)區(qū)域的厚度和摻雜濃度逐一進(jìn)行多組數(shù)據(jù)仿真并對(duì)比進(jìn)一步進(jìn)行優(yōu)化,以分辨時(shí)間、能量沉積率以及電荷收集能力三個(gè)
3、性能參數(shù)為指標(biāo)綜合分析考慮不同參數(shù)設(shè)計(jì)對(duì)探測(cè)器性能的影響,結(jié)果表明窗口層和耗盡層的厚度、摻雜濃度對(duì)探測(cè)器的時(shí)間響應(yīng)特性以及電荷收集率影響最大,最終得到探測(cè)器最優(yōu)設(shè)計(jì)方案:厚度值P-I-N分別為0.2μm-10μm-5μm,P和N區(qū)重?fù)诫s最優(yōu)值1018cm-3和1019cm-3,I區(qū)摻雜濃度為1013cm-3,詳細(xì)分析了各層厚度、摻雜濃度對(duì)三個(gè)性能指標(biāo)產(chǎn)生的具體影響并總結(jié)出探測(cè)器設(shè)計(jì)規(guī)律。對(duì)結(jié)構(gòu)優(yōu)化后探測(cè)器從不同溫度、不同偏壓以及不同輻射
4、源對(duì)器件性能的影響進(jìn)行研究,并提出對(duì)于穿透性強(qiáng)的高能輻射源通過合理增加耗盡區(qū)厚度來提升探測(cè)器能量沉積率、電荷收集率。結(jié)果得到對(duì)于自然界常見的能量3-8Mev的α粒子探測(cè)的分辨時(shí)間2.65×10-11s-5.71×10-11s,3-6Mev的α粒子能量沉積率達(dá)到98%以上,對(duì)于100Kev能量以下的β粒子在分辨時(shí)間2.1×10-11s-6.02×10-11s,能量沉積率達(dá)到100%。最后通過實(shí)驗(yàn)得到探測(cè)器制備工藝中歐姆接觸合金設(shè)計(jì)方案以及
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- GaN-AlGaN量子阱紅外探測(cè)器的測(cè)試與表征.pdf
- GaN基pin型紫外探測(cè)器的研究.pdf
- GaN-AlGaN量子阱紅外探測(cè)器的電極制備優(yōu)化研究.pdf
- algan基pin光電探測(cè)器的模型與模擬
- 日盲型AlGaN基PIN紫外探測(cè)器工藝研究.pdf
- 變組分AlGaN基PIN型輻射探測(cè)器的研究.pdf
- GaN基pin光探測(cè)器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與優(yōu)化.pdf
- 極化效應(yīng)對(duì)ALGaN-GaN異質(zhì)結(jié)pin光探測(cè)器的影響.pdf
- GaN基MSM結(jié)構(gòu)紫外探測(cè)器研究.pdf
- GaN基紫外探測(cè)器研究.pdf
- GaN基核輻射探測(cè)器研究.pdf
- 高響應(yīng)度InGaAs PIN探測(cè)器陣列的研究.pdf
- GaN-AlGaN雙帶紅外探測(cè)及光子頻率上轉(zhuǎn)換研究.pdf
- AlGaN基MSM結(jié)構(gòu)紫外探測(cè)器的設(shè)計(jì)與研制.pdf
- GaN基光伏型MSM結(jié)構(gòu)紫外探測(cè)器研究.pdf
- AlGaN-GaN基紫外—紅外探測(cè)器中量子阱子帶間躍遷的研究.pdf
- GaN-AlGaN量子阱結(jié)構(gòu)極化電場(chǎng)調(diào)控及光學(xué)性質(zhì)研究.pdf
- 新結(jié)構(gòu)GaN基p-i-n型紫外探測(cè)器及其光電特性研究.pdf
- GeSn PIN光電探測(cè)器研究.pdf
- 硅基GaN歐姆接觸及紫外探測(cè)器的研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論