ZnO顆粒膜的制備和特性研究.pdf

1、中國科學技術大學碩士學位論文ZnO顆粒膜的制備和特性研究姓名：張彬申請學位級別：碩士專業(yè)：凝聚態(tài)物理指導教師：施朝淑付竹西2001.5.1掇瑟自從97年Zn。薄膜紫撲激光發(fā)射的曾次搬導以來，ZnO薄膜嗷《l了越來越多的研究者，報導的文獻邀蟊漸增多，成為國際上耨興的研究熱點。ZnO是一靜具京六方維穩(wěn)的紓鋅礦晶體，品格常數為a=03249nm，o=05207nm，室溫下的禁帶寬度336eV；尤其廷它具有擻商韻激子結合能(60meV)t遠大于

2、ZnSe(20meY)和GaN(21meV)；此外，ZnO薄膜可啦在低予500。C的溢度下生長，也比gnSe和G8N的生長溫度低得多。這些優(yōu)點使Z埔成為剃備短波長光n一^電子器件的優(yōu)良材料。論文的第一章首先綜述了ZnO薄膜材料在紫辨激光瓣究方面婀背景桶進展，歸納了近年采獲褥的一些Sl入注蟊的成就，主要聚焦予薄膜生長，介紹了離質鲞薄膜的獲得和促使ZnO薄膜走向實用的一些實驗探索。第二章具體闡述了用來制備ZnO薄膜的熱電子蒸發(fā)系統(tǒng)及其工作原

3、理，在實驗工作幻初期，藐了丈量的對問和精力來建立薄膜生長的手段，偌鼢圖書鑲的資料的和手頭上只鱗片瓜的說明書，通過反復摸索，最終饅其正常運轉。這墼是研究生工作和學習中的一大部分內容，從中得到了不少的鍛煉和提高。在維修和操作這套系統(tǒng)酎，深感一份配套的手船會給實驗者帶來極大的方便，在文中第二章詳盡提供7這套設備的工作原理。操作步驟，結構示意圖，相關的電路圖以及改造過程和理論依據。除了總結郟分工乍的霞的外，逐希望這一章能夠經后來的實驗考盡快了解

4、掌握這套系統(tǒng)，少走一些彎路。在完成設備維修和改造工作之后，進章亍了材料生長耜特性礤究工作，利用這套自已修理瓤改造的設備，肖計劃有疆的盼青8作7一系列薄膜樣晶，經過一段時瀚的的努力，基本剽各癌了納米顳粒膜，囪一系列數據，總績巋獲得納米膜的生長條件和結構特性，瞬時還分析了本方法制每的ZnO尊膜的發(fā)光特性，另外正在進行Zn。，，Mg。0混晶薄膜的制備及其對禁潦寬度調整的研究，已取褥一些避震，文中也繪出了這方蕊獲褥靜初步結柒。論文的最后部分是對