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文檔簡介
1、該文主要研究了兩種納米鑲嵌薄膜——GaAs/SiO<,2>、InPSiO<,2>的不同于一般塊材的獨(dú)特的光學(xué)性質(zhì).作為課題的前段,進(jìn)行了納米薄膜材料的制備和表征.薄膜制備采用射頻磁控濺射方法完成,用各種不同工藝條件制備了GaAs/SiO<,2>、InPSiO<,2>薄膜,通過實(shí)驗(yàn)找出了相對合理的制備工藝條件.通過X射線衍射(XRD)顯檔了其納米結(jié)晶相,并用Scherrer公式計(jì)算得到晶粒尺寸;X射線光電子能譜(XPS)測量和分析了其化學(xué)
2、組分,證明其基本符合化學(xué)配比;采用盧瑟福背散射(RBS)對樣品組分及其深度分布進(jìn)行了分析;Raman光譜表明,薄膜的Raman散射峰較導(dǎo)體材有較大的紅移和寬化.同時(shí),用納米材料的相關(guān)理論對這些特性進(jìn)行了分析.這些實(shí)驗(yàn)都表明,已經(jīng)成功地制備了納米薄膜材料.吸收譜中吸收邊發(fā)生了較大的藍(lán)移和寬化,且有明顯的激子峰出現(xiàn),用量子限域作用等理論分析了其原因;光致熒光光譜中出現(xiàn)了室溫下塊材所沒有的新的發(fā)光帶,用電子躍遷的選擇定則、 量子限域和缺陷能級(jí)
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