非晶Se和Alq3材料中載流子電輸運特性的實驗研究.pdf

1、近些年來,X光成像探測器得到了飛速的發(fā)展,在醫(yī)學(xué)領(lǐng)域發(fā)揮了重要的作用。X光成像探測器主要包括非晶硅型、非晶硒型和CCD型。相比較而言,非晶硒型具有轉(zhuǎn)換效率高、靈敏度好等優(yōu)點,但是由于非晶態(tài)硒中載流子的電輸運特性對溫度有依賴性,致使非晶硒型X光探測器存在對溫度敏感,使用條件受限以及適應(yīng)性差等一些缺點,這樣就對器件的性能產(chǎn)生一定的影響。目前在25℃～65℃的溫度范圍內(nèi)關(guān)于非晶態(tài)硒中載流子的輸運特性的報道比較少,因此,本論文的主要研究內(nèi)容之一

2、就是非晶態(tài)硒中電荷載流子的輸運特性,尤其是對溫度的依賴性。
　　主要工作包括在原來的基礎(chǔ)上進一步對TOF(Time-of-Flight)測試系統(tǒng)進行完善,給出確定TOF實驗條件的標(biāo)準(zhǔn);確定Boxcar的參數(shù)標(biāo)準(zhǔn);給出渡越時間方法測量載流子遷移率實驗中取樣電阻以及光脈沖能量的判斷標(biāo)準(zhǔn);非晶態(tài)測試樣品的制備,最后在適當(dāng)?shù)膶嶒灄l件下對非晶態(tài)樣品中載流子遷移率進行測量,并討論了載流子遷移率隨溫度及場強的變化關(guān)系,給出載流子的輸運模型。從實

3、驗中得出結(jié)論:在25℃～65℃的溫度范圍下,非晶態(tài)硒中電荷載流子的輸運服從淺陷阱模型。與此同時,有機電致發(fā)光器件(OLED)也呈現(xiàn)出快速發(fā)展的勢頭。作為一個新興領(lǐng)域,它在國內(nèi)外的市場前景很廣泛。作為有機電致發(fā)光材料,8-羥基喹啉鋁也顯示出比較廣闊的應(yīng)用前景。鑒于目前國內(nèi)外關(guān)于8-羥基喹啉鋁中載流子電輸運特性的研究比較少,尤其是載流子遷移率與溫度的關(guān)系。
　　作為本文的另一個主要研究內(nèi)容,本文給出在25℃～65℃溫度范圍內(nèi)8-羥基喹

4、啉鋁中電荷載流子的遷移率對溫度的依賴關(guān)系,并給出在此溫度范圍內(nèi)載流子的輸運模型。本文在適當(dāng)選取取樣電阻及光脈沖能量的條件下,利用我們實驗室自己組建的TOF測試系統(tǒng),測量了25℃～65℃的溫度范圍內(nèi)非晶態(tài)硒和8-羥基喹啉鋁兩種材料中電荷載流子的電輸運特性,給出了遷移率隨溫度的變化關(guān)系,同時也給出了載流子遷移率對場強的依賴關(guān)系。實驗結(jié)果表明:嚴(yán)格選擇實驗條件是利用渡越時間方法對材料中載流子的遷移率進行準(zhǔn)確測量的前提條件;同時還表明,在25℃