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文檔簡介
1、中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究博士學位論文零維Ge和一維ZnO納米結構與器件姓名:萬青申請學位級別:博士專業(yè):微電子學與固體電子學指導教師:林成魯王太宏200402126)首次結合微機械技術制作了ZnO納米線氣敏傳感器,研究了器件對乙醇蒸汽、氫氣、~氧化碳等氣體的敏感特性。另外還基于電導開關模型,對ZnO納米線的氣敏機理進行了討淪。7)首次探索性地研究了ZnO納米線的室溫氫存儲特性。實驗發(fā)現(xiàn)在303MPa下,Zn0納米線的儲氫量可以
2、高達083wt%,而且在一個大氣壓下,71%1構氫可以在室溫時釋放出來。8)首次研究了四角狀ZnO納米結構光催化降解羅丹明B和2,卜二氯苯酚的特性。結果表明四角狀ZnO納米結構降解羅丹明B的反應過程遵循準一級反應動力學,表觀反應常數(shù)K’為0046/rain。另外通過對比實驗發(fā)現(xiàn),四角狀ZnO納米結構的光催能力明顯強于Ti02納米顆粒(P25)。關鍵詞:零維Ge納米結構,高K柵介質(zhì),三次光學非線性,電子存儲,納米浮柵存儲器,負光電導,~維
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