2019年遼寧大學(xué)考研專業(yè)課微電子學(xué)基礎(chǔ)考試大綱

1、2012019攻讀碩士學(xué)位研究生攻讀碩士學(xué)位研究生招生考試招生考試微電子微電子學(xué)基礎(chǔ)學(xué)基礎(chǔ)科目科目考試大綱考試大綱一、總體要求一、總體要求主要考察學(xué)生掌握“微電子器件及集成電路”的基本知識、基本理論的情況，以及用這些基本知識和基本理論分析問題和解決問題的能力。二、考試內(nèi)容考試內(nèi)容微電子學(xué)基礎(chǔ)的考試內(nèi)容由兩部分構(gòu)成分別為《微電子器件》和《半導(dǎo)體集成電路》的基礎(chǔ)知識，所占比例基本相同。具體如下：（一（一）《微電子器件》考試內(nèi)容《微電子器件》

2、考試內(nèi)容1半導(dǎo)體器件基本方程1）一維形式的半導(dǎo)體器件基本方程2）基本方程的主要簡化形式2PN結(jié)1）突變結(jié)與線性緩變結(jié)的定義2）PN結(jié)空間電荷區(qū)的形成3）耗盡近似與中性近似4）耗盡區(qū)寬度、內(nèi)建電場與內(nèi)建電勢的計算5）正向及反向電壓下PN結(jié)中的載流子運動情況6）PN結(jié)的能帶圖7）PN結(jié)的少子分布圖8）PN結(jié)的直流伏安特性9）PN結(jié)反向飽和電流的計算及影響因素10）薄基區(qū)二極管的特點11）大注入效應(yīng)12）PN結(jié)雪崩擊穿的機理、雪崩擊穿電壓的計

3、算及影響因素、齊納擊穿的機理及特點、熱擊穿的機理13）PN結(jié)勢壘電容與擴散電容的定義、計算與特點14）PN結(jié)的交流小信號參數(shù)與等效電路1、常見MOS反相器（電阻、EE飽和型、EE非飽和型和EDMOS）基本工作原理及其瞬態(tài)特性1）常見MOS反相器的靜態(tài)特性。2）常見MOS反相器的傳輸特性。3）常見MOS反相器的噪聲特性.4)常見MOS反相器的瞬態(tài)特性。5)常見MOS反相器的速度功耗乘積。2、CMOS反相器基本工作原理及其瞬態(tài)特性1)CMO

4、S反相器的靜態(tài)特性。2)CMOS反相器的傳輸特性。3)CMOS反相器的噪聲特性。4)CMOS反相器閾值電平。3、MOS傳輸門的基本工作原理1)NMOS傳輸門傳輸過程2)PMOS傳輸門傳輸過程3)CMOS傳輸門傳輸過程4、MOS門電路的設(shè)計1)NMOS傳輸門門電路設(shè)計（與、或、與非、或非、與或非、異或、同或）2)CMOS傳輸門門電路設(shè)計（與、或、與非、或非、與或非、異或、同或）5、集成電路工藝流程1)BipolarIC工藝流程2)CMOS