mos管參數(shù)解釋

1、MOS管參數(shù)解釋MOS管介紹在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，一般都要考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等因素。MOSFET管是FET的一種，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，一般主要應用的為增強型的NMOS管和增強型的PMOS管，所以通常提到的就是這兩種。這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。在MOS管內(nèi)部，

2、漏極和源極之間會寄生一個二極管。這個叫體二極管，在驅動感性負載(如馬達)，這個二極管很重要，并且只在單個的MOS管中存在此二極管，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免。MOS管導通特性導通的意思是作為開關，相當于開關閉合。NMOS的特性，的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地

3、時的情況適合用于源極接地時的情況(低端驅動低端驅動)，只要柵極電壓達到一定電壓（如4V或10V其他電壓，看手冊）就可以了。PMOS的特性的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接適合用于源極接VCC時的情況時的情況(高端驅動高端驅動)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。MOS開關管損失不管是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻存在，因而

4、在DS間流過電流的同時，兩端還會有電壓，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現(xiàn)在的小功率MOS管導通電阻一般在幾毫歐，幾十毫歐左右MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，導通瞬間電壓和電流的乘

5、積很大，造成的損失也就很大。降低開關時間，可以減小每次導通時的損失；降低開關頻率，可以減小單位時間內(nèi)的開關次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關損失。MOS管驅動MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。但是，我們還需要速度。在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇設計MOS管

6、驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。普遍用于高端驅動的普遍用于高端驅動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動的，導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比相同，所以這時柵極電壓要比VCC大(4V或10V其他電壓，看手冊其他電壓，看手冊)。如果在同一個系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅